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科研机构
微电子研究所 [5]
内容类型
外文期刊 [5]
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2010 [3]
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内容类型:外文期刊
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Investigation of resistive switching in Cu-doped HfO2 thin film for multilevel non-volatile memory applications
外文期刊
2010
作者:
Liu, Q
;
Wang, Y
;
Liu, M
;
Yang, JH
;
Zuo, QY
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
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提交时间:2010/11/26
Rram
Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications
外文期刊
2010
作者:
Liu, M
;
Liu, S
;
Liu, Q
;
Zhang, MH
;
Long, SB
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Zro2
ZrO2-Based Memory Cell With a Self-Rectifying Effect for Crossbar WORM Memory Application
外文期刊
2010
作者:
Li, YT
;
Long, SB
;
Zuo, QY
;
Shao, LB
;
Wang, Q
收藏
  |  
浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Nonvolatile Memory
Diode
Antifuse
Device
Al2o3
Self-rectifying effect in gold nanocrystal-embedded zirconium oxide resistive memory
外文期刊
2009
作者:
Liu, M
;
Li, YT
;
Zhang, S
;
Liu, Q
;
Long, SB
收藏
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浏览/下载:10/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Diodes
Films
Dependence
Resistance
Density
Zro2
Sio2
Improvement of Resistive Switching Properties in ZrO2-Based ReRAM With Implanted Ti Ions
外文期刊
2009
作者:
Zuo, QY
;
Liu, Q
;
Long, SB
;
Wang, W
;
Zhang, S
收藏
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浏览/下载:9/0
  |  
提交时间:2010/11/26
Doped Zro2
Low-power
Memory
Oxide
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