Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications | |
Liu, M; Liu, S; Liu, Q; Zhang, MH; Long, SB; Li, YT; Shao, LB; Zhang, S; Wang, Y; Zuo, QY | |
2010 | |
内容类型 | 外文期刊 |
源URL | [http://10.10.10.126/handle/311049/8924] |
专题 | 微电子研究所_微电子器件与集成技术重点实验室 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | Liu, M,Liu, S,Liu, Q,et al. Resistive Switching Properties of Au/ZrO2/Ag Structure for Low-Voltage Nonvolatile Memory Applications. 2010. |
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