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北京大学 [6]
内容类型
其他 [6]
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2016 [1]
2013 [2]
2012 [1]
2011 [1]
2004 [1]
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内容类型:其他
专题:北京大学
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Physical Understanding and Optimization of Resistive Switching Characteristics in Oxide-RRAM
其他
2016-01-01
Kang, J. F.
;
Huang, P.
;
Chen, Z.
;
Zhao, Y. D.
;
Liu, C.
;
Han, R. Z.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Wang, Y. Y.
;
Gao, B.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2017/12/03
Resistive random access memory (RRAM)
switching mechanism
physical-based model
resistive switching
reliability
optimization design
MODEL
MEMORY
OPERATIONS
MECHANISM
Multi-level Resistive Switching Characteristics Correlated With Microscopic Filament Geometry in TMO-RRAMl
其他
2013-01-01
Chen, B.
;
Kang, J. F.
;
Huang, P.
;
Deng, Y. X.
;
Gao, B.
;
Liu, R.
;
Zhang, F. F.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Tran, X. A.
;
Yu, H. Y.
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
Analytic Model of Endurance Degradation and Its Practical Applications for Operation Scheme Optimization in Metal Oxide Based RRAM
其他
2013-01-01
Huang, P.
;
Chen, B.
;
Wang, Y. J.
;
Zhang, F. F.
;
Shen, L.
;
Liu, R.
;
Zeng, L.
;
Du, G.
;
Zhang, X.
;
Gao, B.
;
Kang, J. F.
;
Liu, X. Y.
;
Wang, X. P.
;
Weng, B. B.
;
Tang, Y. Z.
;
Lo, G-Q.
;
Kwong, D.L.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Oxide-Based RRAM: A Novel Defect-Engineering-Based Implementation For Multilevel Data Storage
其他
2012-01-01
Kang, J. F.
;
Gao, B.
;
Chen, B.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Yu, H. Y.
;
Wang, Z. R.
;
Yu, B.
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/11/13
Resistive switching memory (RRAM)
multilevel data storage
defect-engineering
Oxide-Based RRAM: Unified Microscopic Principle for both Unipolar and Bipolar Switching
其他
2011-01-01
Gao, B.
;
Kang, J. F.
;
Chen, Y. S.
;
Zhang, F. F.
;
Chen, B.
;
Huang, P.
;
Liu, L. F.
;
Liu, X. Y.
;
Wang, Y. Y.
;
Tran, X. A.
;
Wang, Z. R.
;
Yu, H. Y.
;
Chin, Albert
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2015/11/13
MODEL
MECHANISM
RESET
Effect of post-annealing on the physical and electrical properties of LaAlO3 gate dielectrics
其他
2004-01-01
Lu, X.B.
;
Zhang, X.
;
Huang, R.
;
Lu, H.B.
;
Chen, Z.H.
;
Zhou, H.W.
;
Wang, X.P.
;
Nguyen, B.Y.
;
Wang, C.Z.
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/11/13
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