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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 内容类型：会议论文    专题：近代物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Application of SEU imaging for analysis of device architecture using a 25 MeV/u Kr-86 ion microbeam at HIRFL 会议论文 作者:  Su, Hong;  Liu, Tianqi;  Yang, Zhenlei;  Guo, Jinlong;  Du, Guanghua 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2018/08/20 Heavy-ion microbeam  High-energy  Single event upset  FPGA  Imaging   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Su, Hong;  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Huang, Yun 收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Tianqi;  Ji, CY;  En, YF;  Huang, Yun;  En, Yunfei 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Tianqi;  Geng, Chao;  Zhang, Zhangang;  Zhao, Fazhan;  Hou, Mingdong 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies   Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Jie;  Sun, Youmei;  Tong, Teng;  Zhao, Fazhan;  Zhang, Zhangang 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/08/20 Single event upset  temperature dependence  energy deposition  Monte Carlo simulation  SRAM  heavy ions  bulk and SOI technologies