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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 内容类型：专利    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利 专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18 作者:  彭朝阳;  刘新宇;  刘国友;  李诚瞻;  汤益丹 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/03/07 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利 专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16 作者:  李诚瞻;  汤益丹;  申华军;  白云;  周静涛 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/03/07 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利 专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06 作者:  汤益丹;  白云;  李诚瞻;  刘新宇;  刘国友 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2019/03/07 一种SiC结势垒肖特基二极管及其制作方法 专利 专利号: CN201210483461.X, 申请日期: 2015-12-09, 公开日期: 2013-03-27 作者:  史晶晶;  白云;  刘可安;  申华军;  汤益丹 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2016/06/20