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| 一种GaN基功率电子器件及其制备方法 专利
专利号: US10062775, 申请日期: 2018-08-28, 公开日期: 2017-10-26
作者: 王鑫华 ; 刘新宇; 黄森; 赵超; 王文武
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| 一种碳化硅MOSFET沟道自对准工艺实现方法 专利
专利号: CN201510564659.4, 申请日期: 2018-07-20, 公开日期: 2015-11-18
作者: 彭朝阳; 刘新宇; 刘国友; 李诚瞻; 汤益丹
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| 一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201310282319.3, 申请日期: 2018-07-13, 公开日期: 2015-01-14
作者: 刘新宇; 金智; 钟汇才; 朱慧珑; 梁擎擎
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| III族氮化物低损伤刻蚀方法 专利
专利号: CN201510868081.1, 申请日期: 2018-05-01, 公开日期: 2016-02-24
作者: 魏珂; 刘新宇; 黄森; 王鑫华
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| 碳化硅MOSFET器件及其制作方法 专利
专利号: CN201510574417.3, 申请日期: 2018-03-23, 公开日期: 2015-12-16
作者: 李诚瞻; 汤益丹; 申华军; 白云; 周静涛
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| 一种氧化硅的各向异性湿法腐蚀工艺中控制倾角的方法 专利
专利号: CN201510702260.8, 申请日期: 2018-03-06, 公开日期: 2016-01-06
作者: 汤益丹; 白云; 李诚瞻; 刘新宇; 刘国友
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| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611129480.7, 申请日期: 2018-02-22, 公开日期: 2017-02-22
作者: 刘新宇; 金智; 戴小宛; 桂羊羊; 孙恒超
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| 一种石墨烯/砷化镓太阳电池的制备方法 专利
专利号: CN201611130606.2, 申请日期: 2018-02-02, 公开日期: 2017-02-15
作者: 戴小宛; 贾锐; 孙恒超; 金智; 刘新宇
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| 一种射频包络检波电路 专利
专利号: CN201720729896.6, 申请日期: 2018-01-23,
作者: 郑占旗; 张建民; 王宇灏; 冷永清
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| 一种四相位数模转换方法及数模转换器 专利
专利号: CN201410163396.1, 申请日期: 2017-12-15, 公开日期: 2015-10-28
作者: 金智; 吴旦昱; 江帆; 周磊; 刘新宇
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