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Enhancement of magneto-photogalvanic effect in periodic GaAs dot arrays by p-n junctions coupling 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2016, 卷号: 109, 期号: 1-23
作者:  Zhou, JK;  Wang, T;  Wang, W;  Chen, SW;  Cao, Y
收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2017/05/09
Determination of internal-target thickness and experimental luminosity from beam energy loss at HIRFL-CSRe 期刊论文
CHINESE PHYSICS C, 2016, 卷号: 40, 期号: 1-11
作者:  Shao, CJ;  Yu, DY;  Lu, RC;  Zhao, TC;  Mao, RS
收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2017/05/09
Nonvolatile bipolar resistive switching behavior of epitaxial NdFeO3-PbTiO3 thin films grown on Nb:SrTiO3(001) substrate 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2015, 卷号: 8, 期号: 5
作者:  Gao, CX;  Zhang, P;  Xu, BH;  Chen, ZD;  Qi, L
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/01/13
Current-induced magnetic skyrmions oscillator 期刊论文
NEW JOURNAL OF PHYSICS, 2015, 卷号: 17
作者:  Zhang, SF;  Wang, JB;  Zheng, Q;  Zhu, QY;  Liu, XY
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/01/13
Observation of e(+)e(-) -> pi(0)pi(0)h(c) and a Neutral Charmoniumlike Structure Z(c)(4020)(0) 期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2014, 卷号: 113, 期号: 21, 页码: -
作者:  Ablikim, M;  Achasov, MN;  Ai, XC;  Albayrak, O;  Albrecht, M
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/03/29
Ultrasmooth epitaxial Ge grown on (001) Si utilizing a thin B-doped SiGe buffer layer 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 卷号: 7, 期号: 11, 页码: -
作者:  Chen, D;  Zhang, M;  Xue, ZY;  Wang, G;  Guo, QL
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2016/03/29
Hydrothermal epitaxial growth and nonvolatile bipolar resistive switching behavior of LaFeO3-PbTiO3 films on Nb:SrTiO3(001) substrate 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2014, 卷号: 105, 期号: 15, 页码: -
作者:  Zhang, P;  Gao, CX;  Lv, FZ;  Wei, YP;  Dong, CH
收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/05/25
Study of e(+)e(-) -> p(p)over-bar in the vicinity of psi(3770) 期刊论文
PHYSICS LETTERS B, 2014, 卷号: 735, 页码: 101-107
作者:  Ablikim, M;  Achasov, MN;  Ai, XC;  Albayrak, O;  Albrecht, M
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2015/05/25
Observation of eta' -> pi(+) pi(-) pi(+) pi(-) and eta' -> pi(+) pi(-) pi(0) pi(0) 期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2014, 卷号: 112, 期号: 25, 页码: -
作者:  Ablikim, M;  Achasov, MN;  Ai, XC;  Albayrak, O;  Albrecht, M
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2015/05/25
Strain relaxation of Si0.75Ge0.25 in hydrogen-implanted Si0.75Ge0.25/B-doped Si0.70Ge0.30/Si heterostructure 期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 卷号: 7, 期号: 6, 页码: -
作者:  Chen, D;  Xue, ZY;  Wang, G;  Guo, QL;  Liu, LJ
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