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科研机构
高能物理研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2012 [1]
2011 [1]
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2005 [2]
2004 [1]
2002 [1]
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学科主题
Physics [8]
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学科主题:Physics
专题:高能物理研究所
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Fe-doped InN layers grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2012, 卷号: 101, 期号: 17, 页码: 171905
作者:
Wang, XQ
;
Liu, ST
;
Ma, DY
;
Zheng, XT
;
Chen, G
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/04/08
Search for new phenomena with the monojet and missing transverse momentum signature using the ATLAS detector in root s=7 TeV proton-proton collisions
期刊论文
PHYSICS LETTERS B, 2011, 卷号: 705, 期号: 4, 页码: 294-312
作者:
Aad, G
;
Abbott, B
;
Abdallah, J
;
Abdelalim, AA
;
Abdesselam, A
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浏览/下载:102/0
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提交时间:2016/06/27
Mosaic structure evolution in GaN films with annealing time grown by metalorganic chemical vapour deposition
期刊论文
CHINESE PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 1257-1260
作者:
Chen, ZT
;
Xu, K
;
Guo LP(郭立平)
;
Guo, LP
;
Yang, ZJ
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2016/06/29
Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2005, 卷号: 87, 期号: 7, 页码: 71908
作者:
Zhang, JC
;
Jiang, DS
;
Sun, Q
;
Wang, JF
;
Wang, YT
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/06/29
Study on the stacking faults in hexagonal GaN grown by epitaxy lateral overgrowth with synchrotron radiation
期刊论文
HIGH ENERGY PHYSICS AND NUCLEAR PHYSICS-CHINESE EDITION, 2005, 卷号: 29, 页码: #REF!
作者:
Chen, J
;
Wang, JF
;
Zhang, JC
;
Wang, H
;
Huang, Y
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2016/04/11
GaN
metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
epitaxy lateral overgrowth
stacking faults
synchrotron radiation X-ray diffraction (XRD)
pole figure
Effects of oxidation by O-2 plasma on formation of Ni/Au ohmic contact to p-GaN
期刊论文
JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2004, 卷号: 96, 期号: 4, 页码: 2091-2094
作者:
Chen, ZZ
;
Qin, ZX
;
Tong, YZ
;
Hu, XD
;
Yu, TJ
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2016/06/29
Thermal stability of cubic GaN film grown by molecular-beam epitaxy on GaAs(001)
期刊论文
PHYSICS LETTERS A, 2002, 卷号: 299, 期号: 1, 页码: #REF!
作者:
Xu, M
;
Liu, CX
;
Liu, HF
;
Luo, GM
;
Chen, XM
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2016/04/12
Interfacial structure of molecular beam epitaxial grown cubic-GaN films on GaAs(001) probed by x-ray gazing-angle specular reflection
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 1999, 卷号: 74, 期号: 20, 页码: 2981-2983
作者:
Li, JH
;
Chen, H
;
Cai, LC
;
Cui, SF
;
Yu, WX
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2016/06/29
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