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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：Physics    专题：宁波材料技术与工程研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Electric field controllable high-spin SrRuO3 driven by a solid ionic junction 期刊论文 PHYSICAL REVIEW B, 2020, 卷号: 101, 期号: 21 作者:  Lu, Jingdi;  Si, Liang;  Yao, Xiefei;  Tian, Chengfeng;  Wang, Jing 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2020/12/16 MAGNETIC-PROPERTIES  SEMICONDUCTORS  FERROMAGNETISM  SPECTROSCOPY  OXIDE   Metallic Glacial Glass Formation by a First-Order Liquid-Liquid Transition 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY LETTERS, 2020, 卷号: 11, 期号: 16, 页码: 6718-6723 作者:  Shen, J.;  Lu, Z.;  Wang, J. Q.;  Lan, S.;  Zhang, F. 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2020/12/16 PHASE-SEPARATION  AMORPHOUS PHASE  ORDER   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：52/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge   Band alignment of indium-gallium-zinc oxide/beta-Ga2O3((2)over-bar01) heterojunction determined by angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 57, 期号: 10 作者:  Huan, Ya-Wei;  Wang, Xing-Lu;  Liu, Wen-Jun;  Dong, Hong;  Long, Shi-Bing 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2018/12/04 Beta-ga2o3 Single-crystals  Ohmic Contacts  Offsets  Heterostructures  Valence  Growth  Edge