QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Temperature dependence of photoluminescence of flat and undulated SiGe/Si multiple quantum wells 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4211-4214 Cheng BW; Zhang JG; Zuo YH; Mao RW; Huang CJ; Luo LP; Yao F; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2010/08/12 SI-GE ALLOYS  GROWTH  LAYERS   Type-II SiGe/Si MQWS (multi-quantum wells) and self-organized Ge/Si islands grown by UHV/CVD system 期刊论文 international journal of modern physics b, 2002, 卷号: 16, 期号: 28-29, 页码: 4228-4233 Yu JZ; Huang CJ; Cheng BW; Zuo YH; Luo LP; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/08/12 SiGe/Si resonant-cavity-enhanced photodetectors for 1.3 mu m operation fabricated using wafer bonding techniques 期刊论文 journal of applied physics, 2002, 卷号: 92, 期号: 3, 页码: 1718-1720 Li C; Huang CJ; Cheng BW; Zuo YH; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2010/08/12 Different transfer paths for thermally activated electrons and holes in self-organized Ge/Si(001) islands in a multilayer structure 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 14, 页码: 2006-2008 Huang CJ; Tang Y; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：85/7  |  提交时间：2010/08/12 STRANSKI-KRASTANOV GROWTH  SI/SI1-XGEX QUANTUM-WELLS  II BAND ALIGNMENT  PHOTOLUMINESCENCE  GE  EXCITONS  GAP  SI   Shape evolution of Ge/Si(001) islands induced by strain-driven alloying 期刊论文 applied physics letters, 2001, 卷号: 78, 期号: 24, 页码: 3881-3883 Huang CJ; Zuo YH; Li DZ; Cheng BW; Luo LP; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：97/12  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  TRANSITION  GROWTH  GE  SI(001)  PATHWAY   Increasing the photoluminescence intensity of Ge islands by chemical etching 期刊论文 chinese physics, 2001, 卷号: 10, 期号: 10, 页码: 966-969 Gao F; Huang CJ; Huang DD; Li JP; Kong MY; Zeng YP; Li JM; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：108/9  |  提交时间：2010/08/12 Ge islands  chemical etching  photoluminescence  Si2H6-Ge molecular beam epitaxy  QUANTUM DOTS   Thermal redistribution of photocarriers between bimodal quantum dots 期刊论文 journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 1973-1976 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：85/5  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER RELAXATION  EMISSION   Structure and photoluminescence of InGaAs quantum dots formed on an InAlAs wetting layer 期刊论文 chinese physics letters, 2001, 卷号: 18, 期号: 10, 页码: 1411-1414 作者:  Xu B;  Ye XL 收藏  |  浏览/下载：83/8  |  提交时间：2010/08/12 TEMPERATURE-DEPENDENCE  CARRIER TRANSFER  LASERS  GAIN   Atomic-force-microscopy investigation of the formation and evolution of Ge islands on GexSi1-x strained layers 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: 391-393 Huang CJ; Li DZ; Yu Z; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2010/08/12 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Oblique alignment of columns of self-organized Ge/Si(001) islands in multilayer structure 期刊论文 applied physics letters, 2000, 卷号: 77, 期号: 18, 页码: 2852-2854 Huang CJ; Li DZ; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2010/08/12 QUANTUM  GROWTH