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科研机构
半导体研究所 [11]
内容类型
期刊论文 [11]
发表日期
2008 [3]
2006 [4]
2005 [1]
2003 [2]
2002 [1]
学科主题
半导体物理 [11]
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学科主题:半导体物理
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85
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Effects of external magnetic field on the effective g factor of (Ga,Mn)As
期刊论文
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 8, 页码: 5244-5248
Zhou, R
;
Sun, BQ
;
Ruan, XZ
;
Gan, HD
;
Ji, Y
;
Wang, WZ
;
Zhao, JH
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浏览/下载:154/1
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提交时间:2010/03/08
time resolved Kerr rotation measurement
Zeeman effect
Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida model
A new method to reduce the dark current of GaN based Schottky barrier ultraviolet photodetector
期刊论文
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 4, 页码: 2548-2553
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:31/2
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提交时间:2010/03/08
GaN
Electronic structure and optical properties of GaN with Mn-doping
期刊论文
acta physica sinica, 2008, 卷号: 57, 期号: 10, 页码: 6513-6519
Xing, HY
;
Fan, GH
;
Zhao, DG
;
He, M
;
Zhang, Y
;
Zhou, TM
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2010/03/08
Ga1-xMnxN
first-principles
electronic structure
optical properties
Experimental study of a pulsed ytterbium-doped fibre laser with fast and slow saturable absorbers in a linear cavity
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 7, 页码: 1790-1792
Gan Y (Gan Yu)
;
Xiang WH (Xiang Wang-Hua)
;
Zhou XF (Zhou Xiao-Fang)
;
Zhang GZ (Zhang Gui-Zhong)
;
Zhang B (Zhang Bing)
;
Wang YG (Wang Yong-Gang)
;
Ma XY (Ma Xiao-Yu)
收藏
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/04/11
MODE-LOCKING
RING LASER
LOW-TEMPERATURE
GENERATION
GAAS
Interfaces in heterostructures of AlInGaN/GaN/Al2O3
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 39, 期号: 5, 页码: 429-435
Zhou SQ
;
Wu MF
;
Yao SD
;
Liu JP
;
Yang H
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
interface
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
SUPER-LATTICES
STRAIN
GAN
Dependence of intrinsic defects in ZnO films on oxygen fraction studied by positron annihilation
期刊论文
chinese physics letters, 2006, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 489-492
Peng CX
;
Weng HM
;
Yang XJ
;
Ye BJ
;
Cheng B
;
Zhou XY
;
Han RD
收藏
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浏览/下载:235/9
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提交时间:2010/04/11
P-TYPE ZNO
THIN-FILMS
ROOM-TEMPERATURE
PHOTOLUMINESCENCE
DEPOSITION
SUBSTRATE
VACANCIES
LAYER
BEAM
GAN
Photocurrent response in a double barrier structure with quantum dots-quantum well inserted in central well
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2006, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 355-358
Hu B (Hu Bing)
;
Zhou X (Zhou Xia)
;
Tang Y (Tang Yan)
;
Gan HD (Gan Huadong)
;
Zhu H (Zhu Hui)
;
Li GR (Li Guirong)
;
Zheng HZ (Zheng Houzhi)
收藏
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/04/11
photocurrent response
quantum dots-quantum well hybrid heterostructure
photovoltaic effect
Photoinduced voltage shift in a three-barrier, two-well resonant tunneling structure integrated with a 1.2-mu m-thick n-type GaAs layer
期刊论文
physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: 242-246
Zhou, X
;
Zheng, HZ
;
Li, GR
;
Hu, B
;
Gan, HD
;
Zhu, H
收藏
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浏览/下载:45/19
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提交时间:2010/03/17
photoinduced
RBS/channeling study and photoluminscence properties of Er-implanted GaN
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 10, 页码: 2558-2562
Song SF
;
Zhou SQ
;
Chen WD
;
Zhu JJ
;
Chen CY
;
Xu ZJ
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浏览/下载:235/3
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提交时间:2010/08/12
GaN
erbium
Raman back scattering
photoluminscence
DOPED GAN
ERBIUM
PHOTOLUMINESCENCE
ELECTROLUMINESCENCE
Thermal annealing behaviour of Pt on n-GaN Schottky contacts
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2003, 卷号: 36, 期号: 8, 页码: 1018-1022
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:179/3
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提交时间:2010/08/12
BARRIER FORMATION
DIODES
PD
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