×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [9]
发表日期
2008 [2]
2003 [2]
2002 [2]
2001 [3]
学科主题
半导体物理 [9]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共9条,第1-9条
帮助
限定条件
学科主题:半导体物理
内容类型:期刊论文
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474
Zhang, Y
;
Han, CL
;
Gao, JF
;
Zhu, ZP
;
Wang, BQ
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:56/6
  |  
提交时间:2010/03/08
resonant tunnelling diode
molecular beam epitaxy
Influence of V/III ratio on the structural and photoluminescence properties of In0.52AlAs/In0.53GaAs metamorphic high electron mobility transistor grown by molecular beam epitaxy
期刊论文
chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 3, 页码: 1119-1123
Gao, HL
;
Zeng, YP
;
Wang, BQ
;
Zhu, ZP
;
Wang, ZG
收藏
  |  
浏览/下载:54/6
  |  
提交时间:2010/03/08
molecular beam epitaxy
semiconducting III-V materials
high electron mobility transistors
Electron transport properties of MM-HEMT with varied channel indium contents
期刊论文
acta physica sinica, 2003, 卷号: 52, 期号: 11, 页码: 2879-2882
Qiu ZJ
;
Jiang CP
;
Gui YS
;
Shu XZ
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
收藏
  |  
浏览/下载:252/35
  |  
提交时间:2010/08/12
MM-HEMT
Shubnikov-de Hass oscillation
MOBILITY TRANSISTORS
ALLOY SCATTERING
HIGH-PERFORMANCE
GAAS
Silicon doping induced increment of quantum dot density
期刊论文
japanese journal of applied physics part 1-regular papers short notes & review papers, 2003, 卷号: 42, 期号: 10, 页码: 6314-6318
作者:
Duan RF
收藏
  |  
浏览/下载:47/0
  |  
提交时间:2010/08/12
MBE
silicon
doping
density
InGaAs/GaAs
SAOD
INGAAS
ISLANDS
GAAS
Zero-field spin splitting in In0.52Al0.48As/InxGa1-xAs metamorphic high-electron-mobility-transistor structures on GaAs substrates using Shubnikov-de Haas measurements
期刊论文
applied physics letters, 2002, 卷号: 80, 期号: 17, 页码: 3132-3134
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
;
Lin LY
;
Jiang CP
;
Guo SL
;
Chu JH
收藏
  |  
浏览/下载:87/27
  |  
提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
HETEROSTRUCTURES
HEMTS
B->O
GAS
Rapid thermal annealing effects on step-graded InAlAs buffer layer and In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As metamorphic high electron mobility transistor structures on GaAs substrates
期刊论文
journal of applied physics, 2002, 卷号: 91, 期号: 4, 页码: 2429-2432
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Wang BQ
;
Wu J
;
Zhu ZP
;
Lin LY
收藏
  |  
浏览/下载:70/6
  |  
提交时间:2010/08/12
HEMTS
The keys to get high transconductance of AlGaAs/InGaAs/GaAs pseudomorphic HEMTs devices
期刊论文
solid-state electronics, 2001, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 751-754
Cao X
;
Zeng YP
;
Kong MY
;
Pan L
;
Wang BQ
;
Zhu ZP
收藏
  |  
浏览/下载:103/6
  |  
提交时间:2010/08/12
molecular beam epitaxy
pseudomorphic HEMTs
photoluminescence
Longitudinal optic phonon-plasmon coupling in delta-doped metamorphic InAlAs/InGaAs high-electron-mobility transistor structures on GaAs substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 9, 页码: 1375-1377
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Li ZF
;
Yu J
;
Guo SL
;
Lu W
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
收藏
  |  
浏览/下载:76/2
  |  
提交时间:2010/08/12
QUANTUM-WELLS
ACCUMULATION LAYER
RAMAN-SCATTERING
EXCITATIONS
GA1-XINXAS
SPECTRA
Subband electron properties of highly doped InAlAs/InGaAs metamorphic high-electron-mobility transistors on GaAs substrates
期刊论文
applied physics letters, 2001, 卷号: 79, 期号: 12, 页码: 1909-1911
Jiang CP
;
Huang ZM
;
Guo SL
;
Chu JH
;
Cui LJ
;
Zeng YP
;
Zhu ZP
;
Wang BQ
收藏
  |  
浏览/下载:124/9
  |  
提交时间:2010/08/12
HIGH-PERFORMANCE
HEMTS
HETEROSTRUCTURES
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace