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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [3]
发表日期
2005 [1]
2004 [2]
2001 [2]
2000 [2]
1998 [2]
学科主题
半导体材料 [9]
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学科主题:半导体材料
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Effect of ion flux on recrystallization and resistance lowering in phosphorus-implanted (0001)-oriented 4H-SiC
期刊论文
chinese physics, 2005, 卷号: 14, 期号: 3, 页码: 599-603
Xin G
;
Sun, GS
;
Li JM
;
Zhang YX
;
Lei W
;
Zhao WS
;
Zeng YP
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/03/17
ion implantation
Homoepitaxial growth and MOS structures of 4H-SiC on off oriented n-type (0001)Si-faces
会议论文
7th international conference on solid-state and integrated circuits technology, beijing, peoples r china, oct 18-21, 2004
Sun, GS
;
Ning, J
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
  |  
浏览/下载:206/60
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提交时间:2010/03/29
4H-SiC
LPCVD homoepitaxial growth
thermal oxidization
MOS structures
HOT-WALL CVD
Electrical properties and electroluminescence of 4H-SiC p-n junction diodes
期刊论文
journal of rare earths, 2004, 卷号: 22 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 275-278
Sun, GS
;
Zhang, YX
;
Gao, X
;
Wang, L
;
Zhao, WS
;
Zeng, YP
;
Li, JM
收藏
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浏览/下载:87/0
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提交时间:2010/03/17
4H-SiC
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 766-769
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:98/14
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提交时间:2010/08/12
annealing
molecular beam epitaxy
germanium silicon alloys
semiconducting materials
STRAIN RELAXATION
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2010/11/15
annealing
molecular beam epitaxy
germanium silicon alloys
semiconducting materials
STRAIN RELAXATION
Influence of phosphine flow rate on Si growth rate in gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 220, 期号: 4, 页码: 461-465
Gao F
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Kong MY
;
Sun DZ
;
Li JM
;
Lin LY
收藏
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浏览/下载:38/0
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提交时间:2010/08/12
Si growth rate
P doping
PH3 flow rate
P segregation
GSMBE
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
SI1-XGEX
PHOSPHORUS
SI2H6
DISILANE
SI(100)
MBE
Doping during low-temperature growth of materials for n-p-n Si/SiGe/Si heterojuction bipolar transistor by gas source molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2000, 卷号: 208, 期号: 1-4, 页码: 322-326
Liu JP
;
Huang DD
;
Li JP
;
Lin YX
;
Sun DZ
;
Kong MY
收藏
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浏览/下载:70/14
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提交时间:2010/08/12
n-type doping
p-type doping
Si/SiGe
HBT
GSMBE
SI
Formation and magnetic properties of Fe16N2 films prepared by ion-beam-assisted deposition
会议论文
international conference on magnetism, cairns, australia, jul 27-aug 01, 1997
Yao ZY
;
Jiang H
;
Liu ZK
;
Huang DD
;
Qin FG
;
Zhu SC
;
Sun YX
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/15
thin films
saturation magnetization
uniaxial anisotropy
Formation and magnetic properties of Fe16N2 films prepared by ion-beam-assisted deposition
期刊论文
journal of magnetism and magnetic materials, 1998, 卷号: 177, 期号: 0, 页码: 1291-1292
Yao ZY
;
Jiang H
;
Liu ZK
;
Huang DD
;
Qin FG
;
Zhu SC
;
Sun YX
收藏
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2010/08/12
thin films
saturation magnetization
uniaxial anisotropy
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