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科研机构
半导体研究所 [11]
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期刊论文 [10]
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发表日期
2005 [1]
2003 [1]
2002 [1]
2001 [5]
2000 [1]
1992 [1]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
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稀土功能薄膜的离子束外延法制备生长研究
期刊论文
中国稀土学报, 2005, 卷号: 23, 期号: 5, 页码: 576-581
作者:
杨少延
;
陈涌海
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浏览/下载:34/0
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提交时间:2010/11/23
Lanxide技术合成含烧结助剂的复合AIN粉体
期刊论文
无机材料学报, 2003, 卷号: 18, 期号: 6, 页码: 1351-1356
林志浪
;
郑新和
;
王群
;
周美玲
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/11/23
室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb
期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
作者:
杨少延
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2010/11/23
质量分离的双离子束沉积法生长CeO_2(111)/Si薄膜
期刊论文
稀有金属, 2001, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 401
作者:
杨少延
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2010/11/23
CeO_2/Si薄膜PL谱的“紫移”
期刊论文
科学通报, 2001, 卷号: 46, 期号: 18, 页码: 1511
作者:
杨少延
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/23
计入衍射几何因子和多重性因子的立方GaN相含量的测定
期刊论文
中国科学. A辑,数学, 2001, 卷号: 31, 期号: 2, 页码: 146
作者:
王玉田
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2010/11/23
离子能量和沉积温度对离子束沉积碳膜表面形貌的影响
期刊论文
物理学报, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1324
作者:
杨少延
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/11/23
原位合成AlN及添加钇的复合AlN粉体
期刊论文
中国稀土学报, 2001, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 430
郑新和
;
王群
;
林志浪
;
周美玲
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2010/11/23
在p-Si(100)上溅射法生长ZnO的结构和光学特性
期刊论文
功能材料与器件学报, 2000, 卷号: 6, 期号: 4, 页码: 338
作者:
杨少延
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/23
用质量分离的低能离子束外延法生长β-FeSi2半导体外延膜的初步研究
期刊论文
半导体学报, 1992, 卷号: 13, 期号: 8, 页码: 518
姚振钰
;
任治璋
;
王向明
;
刘志凯
;
黄大定
;
秦复光
;
林兰英
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2010/11/23
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