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| Optimization of grid design for solar cells 期刊论文
journal of semiconductors, 2010, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 42-45
作者: Liu Wen
  收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2011/08/16 |
| Heteroepitaxial Growth and Heterojunction Characteristics of Voids-Free n-3C-SiC on p-Si(100) 期刊论文
半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 6, 页码: 567-573
Sun Guosheng; Sun Yanling; Wang Lei; Zhao Wanshun; Luo Muchang; Zhang Yongxing; Zeng Yiping; Li Jinmin; Lin Lanying
收藏 | 浏览/下载：20/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| Raman Investigatins of 3C-SiC Films Grown on Si (100) and Sapphire (0001) by LPCVD 期刊论文
发光学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 4, 页码: 421-425
Sun Guosheng; Luo Muchang; Wang Lei; Zhao Wanshun; Sun Yanling; Zeng Yiping; Li Jinmin
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 室温铁磁性半导体Mn_xGa_(1-x)Sb 期刊论文
科学通报, 2002, 卷号: 47, 期号: 24, 页码: 1863-1864
作者: 杨少延
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2010/11/23 |
| 一种生长富In组分非极性A面InGaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 刘贵鹏; 刘长波; 谷承艳; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
收藏 | 浏览/下载：14/0 | 提交时间：2014/10/29 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-01-30
刘建明; 桑玲; 赵桂娟; 刘长波; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 杨少延; 王占国
收藏 | 浏览/下载：40/0 | 提交时间：2014/10/24 |
| 利用InN纳米棒作为形核层生长单晶GaN纳米管的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
刘长波; 赵桂娟; 桑玲; 王建霞; 魏鸿源; 焦春美; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
收藏 | 浏览/下载：19/0 | 提交时间：2014/10/28 |
| 一种在蓝宝石衬底上生长自剥离氮化镓薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-26
王建霞; 李志伟; 赵桂娟; 桑玲; 刘长波; 魏鸿源; 焦春美; 杨少延; 刘祥林; 朱勤生; 王占国
收藏 | 浏览/下载：30/0 | 提交时间：2014/10/29 |
| 制备非极性A面GaN薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2012-12-12
赵桂娟; 李志伟; 桑玲; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2014/10/31 |
