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科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [2]
发表日期
2010 [2]
1999 [2]
1998 [2]
1996 [1]
学科主题
半导体材料 [7]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Fermi-Level Pinning at Metal/High-k Interface Influenced by Electron State Density of Metal Gate
期刊论文
ieee electron device letters, 2010, 卷号: 31, 期号: 10, 页码: 1101-1103
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Liu XY (Liu X. Y.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
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浏览/下载:62/0
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提交时间:2010/11/14
Electron state density
Fermi-level pinning (FLP)
MIS structures
work function (WF)
WORK FUNCTION
Origin of flat-band voltage sharp roll-off in metal gate/high-k/ultrathin- SiO2/Si p-channel metal-oxide-semiconductor stacks
期刊论文
applied physics letters, 2010, 卷号: 97, 期号: 13, 页码: art. no. 132908
Zheng XH (Zheng X. H.)
;
Huang AP (Huang A. P.)
;
Xiao ZS (Xiao Z. S.)
;
Yang ZC (Yang Z. C.)
;
Wang M (Wang M.)
;
Zhang XW (Zhang X. W.)
;
Wang WW (Wang W. W.)
;
Chu PK (Chu Paul K.)
收藏
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提交时间:2010/11/14
OXYGEN
GATE
DIFFUSION
FILMS
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
会议论文
40th electronic materials conference (emc-40), charlottesville, virginia, jun 24-26, 1998
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2010/11/15
double multi-quantum wells
photocurrent spectra
ZnCdSe-ZnSe
SPECTROSCOPY
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
PHOTODETECTORS
Photocurrent derivative spectra of ZnCdSe-ZnSe double multi-quantum wells
期刊论文
journal of electronic materials, 1999, 卷号: 28, 期号: 5, 页码: 563-566
作者:
Zhang JY
;
Jiang DS
收藏
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浏览/下载:46/0
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提交时间:2010/08/12
double multi-quantum wells
photocurrent spectra
ZnCdSe-ZnSe
PHOTOLUMINESCENCE
HETEROSTRUCTURES
PHOTODETECTORS
SPECTROSCOPY
The effect of low temperature GaAs nucleation on the growth of GaN on Silicon (001) during MOVPE process
会议论文
symposium on nitride semiconductors, at the 1997 mrs fall meeting, boston, ma, dec 01-05, 1997
Zheng LX
;
Liang JW
;
Yang H
;
Li JB
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Li XF
;
Duan LH
;
Hu XW
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2010/10/29
Low-temperature growth of cubic GaN by metalorganic chemical-vapor deposition
期刊论文
thin solid films, 1998, 卷号: 326, 期号: 1-2, 页码: 251-255
Zheng LX
;
Yang H
;
Xu DP
;
Wang XJ
;
Li XF
;
Li JB
;
Wang YT
;
Duan LH
;
Hu XW
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
nitrides
MOCVD
surface morphology
growth mechanism
PHASE EPITAXY
GAAS
OSCILLATIONS
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
Growth of GaAs on Si by using a thin Si film as buffer layer
期刊论文
chinese physics letters, 1996, 卷号: 13, 期号: 1, 页码: 42-45
Hao MS
;
Liang JW
;
Jing XJ
;
Wang YT
;
Deng LS
;
Xiao ZB
;
Zheng LX
;
Hu XW
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/17
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
ON-SI
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