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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tandem organic light-emitting diodes with an effective charge-generation connection structure 期刊论文 solid state communications, 2010, 卷号: 150, 期号: 35-36, 页码: 1683-1685 Li LS (Li Linsen); Guan M (Guan Min); Cao GH (Cao Guohua); Li YY (Li Yiyang); Zeng YP (Zeng Yiping) 收藏  |  浏览/下载：238/43  |  提交时间：2010/09/20 Organic light-emitting diodes  Tandem  Charge generation   AlGaN/AlN/GaN/SiC HEMT structure with high mobility GaN thin layer as channel grown by MOCVD 期刊论文 journal of crystal growth, 2007, 卷号: 298 sp.iss.si, 期号: 0, 页码: 835-839 Wang XL (Wang Xiaoliang); Hu GX (Hu Guoxin); Ma ZY (Ma Zhiyong); Ran JX (Ran Junxue); Wang CM (Wang Cuimei); Mao HL (Mao Hongling); Tang H (Tang Han); Li HP (Li Hanping); Wang JX (Wang Junxi); Zeng YP (Zeng Yiping); Jinmin LM (Li Jinmin); Wang ZG (Wang Zhanguo) 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2010/03/29 2DEG   Structural and Optical Performance of GaN Thick Film Grown by HVPE 期刊论文 半导体学报, 2007, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 19-23 作者:  Duan Ruifei;  Liu Zhe;  Duan Ruifei;  Wei Tongbo 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/23 Fabrication of an AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs Resonant Tunneling Diode on InP Substrate for High-Speed Circuit Applications 期刊论文 半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 6, 页码: 959-962 作者:  Zhang Yang 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 Characteristics of AlGaN/GaN HEMTs Grown by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 半导体学报, 2004, 卷号: 25, 期号: 2, 页码: 121-125 Wang Xiaoliang; Hu Guoxin; Wang Junxi; Liu Xinyu; Liu Hongxin; Sun Dianzhao; Zeng Yiping; Qian He; Li Jinmin; Kong Meiying; Lin Lanying 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23