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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2017 [2]
2016 [1]
学科主题
光电子学 [3]
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学科主题:光电子学
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Increasing the indium incorporation efficiency during InGaN layer growth by suppressing the dissociation of NH3
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 102, 期号: 2017, 页码: 35-39
作者:
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
P. Chen
;
J.J. Zhu
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2018/11/30
Different annealing temperature suitable for different Mg doped P-GaN
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2017, 卷号: 104, 期号: 2017, 页码: 63-68
作者:
S.T. Liu
;
J. Yang
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
F. Liang
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2018/07/11
Large field emission current from Si-doped AlN film grown by MOCVD on n-type (001) 6H-SiC
期刊论文
chemical physics letters, 2016, 卷号: 651, 页码: 76-79
F. Liang
;
P. Chen
;
D.G. Zhao
;
D.S. Jiang
;
Z.S. Liu
;
J.J. Zhu
;
J. Yang
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X.J. Li
;
X. Li
;
S.T. Liu
;
H. Yang
;
L.Q. Zhang
;
J.P. Liu
;
Y.T. Zhang
;
G.T. Du
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2017/03/10
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