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浏览/检索结果: 共14条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Si_（1-x-y）Ge_xC_y三元系材料的应变补偿特性 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 53 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23 弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱 期刊论文 半导体学报, 2001, 卷号: 22, 期号: 7, 页码: 875 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2010/11/23 UHV/CVD外延生长SiGe/Si表面反应动力学 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 6, 页码: 564 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 Raman谱研究不同缓冲层结构对Si_(1-x)Ge_x应力弛豫的影响 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 8, 页码: 760 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Annealing Behavior of Si_(1-x)Ge_x/Si Heterostructures 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 10, 页码: 962 作者:  Cheng BW(成步文) 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23 UHV/CVD生长SiGe/Si异质结构材料 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 3, 页码: 250 作者:  王玉田;  成步文 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 组份线性渐变SiGe缓冲层的生长及其表征 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 11, 页码: 1111 作者:  成步文 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/11/23 用固相外延方法制备Si1-x-yGexCy 三元材料 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 862-866 于卓; 李代宗; 成步文; 黄昌俊; 雷震霖; 余金中; 王启明; 梁骏吾 收藏  |  浏览/下载：43/0  |  提交时间：2014/05/15 Quantum Confinement Effects in Strained Si Ge/Si Multiple Quantum Wells 期刊论文 半导体学报, 2000, 卷号: 21, 期号: 4, 页码: 313 作者:  Cheng BW(成步文) 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2010/11/23