用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料

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	用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料
	成步文
刊名	半导体学报
	2000
卷号	21 期号:9 页码:862
中文摘要	分析了Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元系材料外延生长的特点，指出原子性质上的巨大差异使Si_(1-x-y)G_xC_y材料的制备比较困难。固相外延生长是制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y的有效方法，但必须对制备过程各环节的条件进行优化选择。通过实验系统地研究了离子注入过程中温度条件的控制对外延层质量的影响以及外延退火条件的造反与外延层结晶质量的关系。指出在液氮温度下进行离子注入能够提高晶体质量，而注入过程中靶温过高会导致动态退火效应，影响以后的再结晶过程。采用两步退火方法有利于消除注入引入的点缺陷，而二次外延退火存在着一个最佳退火温区，在此基础上优化得出了固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y/Si材料的最佳条件。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/18761]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	成步文. 用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料[J]. 半导体学报,2000,21(9):862.
APA	成步文.(2000).用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料.半导体学报,21(9),862.
MLA	成步文."用固相外延方法制备Si_(1-x-y)Ge_xC_y三元材料".半导体学报 21.9(2000):862.