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新疆理化技术研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2021 [3]
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Analysis of Dark Signal Degradation Caused by 1 MeV Neutron Irradiation on Backside-Illuminated CMOS Image Sensors
期刊论文
CHINESE JOURNAL OF ELECTRONICS, 2021, 卷号: 30, 期号: 1, 页码: 180-184
作者:
Liu, BK (Liu Bingkai)[ 1,2,3 ]
;
Li, YD (Li Yudong)[ 1,2 ]
;
Wen, L (Wen Lin)[ 1,2 ]
;
Zhou, D (Zhou Dong)[ 1,2 ]
;
Feng, J (Feng Jie)[ 1,2 ]
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提交时间:2021/05/10
Backside‐
illuminated CMOS image sensors
Dark signal behaviors
Displacement damage effects
Neutron irradiation
Mechanism of Ionization Damage in Large Eight-Transistor Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Color Image Sensors
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 11, 页码: 1755-1761
作者:
Feng, J (Feng, Jie) [1] , [2]
;
Fu, J (Fu, Jing) [1] , [2] , [3]
;
Li, YD (Li, Yu-Dong) [1] , [2]
;
Wen, L (Wen, Lin) [1] , [2]
;
Guo, Q (Guo, Qi) [1] , [2]
收藏
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浏览/下载:23/0
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提交时间:2022/03/24
CMOS Color Image Sensor
Ionization Damage
Radiation-Sensitive Parameters
Radiation Effects and Mechanisms on Switching Characteristics of Silicon Carbide Power MOSFETs
期刊论文
JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2021, 卷号: 16, 期号: 9, 页码: 1423-1429
作者:
Feng, HN (Feng, Haonan) [1] , [2] , [3]
;
Yang, S (Yang, Sheng) [1] , [2] , [3]
;
Liang, XW (Liang, Xiaowen) [1] , [2] , [3]
;
Zhang, D (Zhang, Dan) [1] , [2] , [3]
;
Pu, XJ (Pu, Xiaojuan) [1] , [2] , [3]
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提交时间:2022/03/24
SiC Power MOSFETs
Switching Characteristics
Total Ionizing Dose (TID) Effect
Static Characteristic
Parasitic Capacitance
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