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Anisotropy rather than transverse isotropy in Longmaxi shale and the potential role of tectonic stress 期刊论文
ENGINEERING GEOLOGY, 2018, 卷号: 247, 页码: 38-47
作者:  Chen, Junhui;  Lan, Hengxing;  Macciotta, Renato;  Wu, Yuming;  Li, Quanwen
收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2019/05/23
Rectifying behavior in the gan/graded-alxga1?xn/gan double heterojunction structure 期刊论文
Journal of physics d: applied physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 20
作者:  Wang,Caiwei;  Jiang,Yang;  Ma,Ziguang;  Zuo,Peng;  Yan,Shen
收藏  |  浏览/下载:55/0  |  提交时间:2019/05/09
一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/11/26
一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/11/26
一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/26
一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/11/26
一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/11/26
一种网站可用性监控系统及方法 专利
申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2018-02-16
作者:  李萌;  王丽君;  刘兵;  陈文辉;  蒋方玲
收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/27
一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-02,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26
一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-02,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26


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