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| Anisotropy rather than transverse isotropy in Longmaxi shale and the potential role of tectonic stress 期刊论文 ENGINEERING GEOLOGY, 2018, 卷号: 247, 页码: 38-47 作者: Chen, Junhui; Lan, Hengxing; Macciotta, Renato; Wu, Yuming; Li, Quanwen 收藏  |  浏览/下载:39/0  |  提交时间:2019/05/23
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| Rectifying behavior in the gan/graded-alxga1?xn/gan double heterojunction structure 期刊论文 Journal of physics d: applied physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 20 作者: Wang,Caiwei; Jiang,Yang; Ma,Ziguang; Zuo,Peng; Yan,Shen 收藏  |  浏览/下载:55/0  |  提交时间:2019/05/09
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| 一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:11/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:3/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:9/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-23, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:2/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种网站可用性监控系统及方法 专利 申请日期: 2018-02-16, 公开日期: 2018-02-16 作者: 李萌; 王丽君; 刘兵; 陈文辉; 蒋方玲 收藏  |  浏览/下载:19/0  |  提交时间:2019/12/27 |
| 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-02, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26 |
| 一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利 申请日期: 2018-02-02, 作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉 收藏  |  浏览/下载:10/0  |  提交时间:2019/11/26 |