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	一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法
	张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉; 王旭辉; 曾翔君; 李留成
	2018-02-23
URL标识	查看原文
申请日期	2017-09-02
内容类型	专利
URI标识	http://www.corc.org.cn/handle/1471x/2925253
专题	西安交通大学
推荐引用方式 GB/T 7714	张安平,田凯,祁金伟,等. 一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法. 2018-02-23.

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