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| 一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
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| 一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
收藏 | 浏览/下载：11/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
收藏 | 浏览/下载：3/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
收藏 | 浏览/下载：9/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-02,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-02,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
收藏 | 浏览/下载：10/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-01-23,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| 一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-01-19,
作者: 张安平; 田凯; 祁金伟; 杨明超; 陈家玉
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2019/11/26 |
| Aluminizing mechanism on a nickel-based alloy with surface nanostructure produced by laser shock peening and its effect on fatigue strength 期刊论文
SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 342, 页码: 29-36
作者: Luo Sihai; He Weifeng; Zhou Liucheng; Nie Xiangfan; Li Yinghong
收藏 | 浏览/下载：16/0 | 提交时间：2019/11/26
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