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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Insight into the Near-Conduction Band States at the Crystallized Interface between GaN and SiN x Grown by Low-Pressure Chemical Vapor Deposition 期刊论文 ACS Applied Materials & Interfaces, 2018 作者:  Wang WW(王文武);  Zheng YK(郑英奎);  Jiang HJ(蒋浩杰);  Wei K(魏珂);  Wang XH(王鑫华) 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/04/19 Ultrathin-Barrier AlGaN/GaN Heterostructure: A Recess-Free Technology for Manufacturing High-Performance GaN-on-Si Power Devices 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018 作者:  Shi JY(史敬元);  Fan J(樊捷);  Kang XW(康玄武);  Wang XH(王鑫华);  Huang S(黄森) 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2019/04/19 Field-Plated Lateral beta-GaO Schottky Barrier Diode With High Reverse Blocking Voltage of More Than 3 kV and High DC Power Figure-of-Merit of 500 MW/cm 期刊论文 IEEE Electron Device Letters, 2018, 卷号: Vol.39 No.10, 页码: 1564-1567 作者:  Zhuangzhuang Hu;  Hong Zhou;  Qian Feng;  Jincheng Zhang;  Chunfu Zhang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2019/12/26