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科研机构
近代物理研究所 [16]
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期刊论文 [10]
会议论文 [6]
发表日期
2017 [16]
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共16条,第1-10条
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发表日期:2017
专题:近代物理研究所
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A parallelization scheme of the periodic signals tracking algorithm for isochronous mass spectrometry on GPUs
期刊论文
COMPUTER PHYSICS COMMUNICATIONS, 2017, 卷号: 221, 期号: 1, 页码: 216-220
作者:
Chen, R. J.
;
Wang, M.
;
Yan, X. L.
;
Yang, Q.
;
Lam, Y. H.
收藏
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浏览/下载:187/0
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提交时间:2018/04/23
Isochronous mass spectrometry
Storage rings
Periodic signals tracking algorithm
Graphics processing units
Probing the geometry of Ar2N2 cluster by 1 MeV Ne8+ ions
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 408, 页码: 42-45
作者:
Zhu, X. L.
;
Yan, S.
;
Feng, W. T.
;
Guo, D. L.
;
Gao, Y.
收藏
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浏览/下载:19/0
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提交时间:2018/05/31
Geometric conformation
van der Waals cluster
Highly charged ions
Coulomb explosion
Probing the geometry of Ar2N2 cluster by 1 MeV Ne8+ ions
会议论文
作者:
Zhang, S. F.
;
Zhu, X. L.
;
Yan, S.
;
Feng, W. T.
;
Guo, D. L.
收藏
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2018/08/20
Geometric conformation
van der Waals cluster
Highly charged ions
Coulomb explosion
Half-life measurement of short-lived Ru-94m(44)44+ using isochronous mass spectrometry
期刊论文
PHYSICAL REVIEW C, 2017, 卷号: 96, 页码: 5
作者:
Sun, B. H.
;
Tu, X. L.
;
Chen, X. C.
;
Xu, X.
;
Litvinov, Yu. A.
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2018/05/18
Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer
期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2017, 卷号: 406, 页码: 571-577
作者:
Li, Jj.
;
Zhang, C. H.
;
Zhang, L. Q.
;
Song, Y.
;
Yan, T. X.
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2018/05/08
GaN
Highly-charged bismuth ion irradiation
AFM
XPS
Raman scattering spectrum
PL
Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer
会议论文
作者:
Song, Y.
;
Zhang, L. Q.
;
Zhang, C. H.
;
Xu, C. L.
;
Li, Jj.
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2018/08/20
GaN
Highly-charged bismuth ion irradiation
AFM
XPS
Raman scattering spectrum
PL
Influence of highly-charged Bi-209(33+) irradiation on structure and optoelectric characteristics of GaN epilayer
会议论文
作者:
Yang, Y. T.
;
Li, J. Y.
;
Liu, H. P.
;
Ding, Z. N.
;
Yan, T. X.
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2018/08/20
GaN
Highly-charged bismuth ion irradiation
AFM
XPS
Raman scattering spectrum
PL
Investigation of fragmentation dynamics of nitrogen dimers by collisions with highly charged ions
期刊论文
Journal of Physics: Conference Series, 2017, 卷号: 875
作者:
Zhu,X. L.
;
Yan,S.
;
Feng,W. T.
;
Guo,D. L.
;
Gao,Y.
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2018/05/31
Feasibility study for the measurement of pi N transition distribution amplitudes at (P)over-barANDA in (P)over-barp -> J/psi pi(0)
期刊论文
PHYSICAL REVIEW D, 2017, 卷号: 95, 页码: 25
作者:
Kobdaj, C.
;
Srisawad, P.
;
Yan, Y.
;
Barnyakov, A. Yu.
;
Barnyakov, M.
收藏
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浏览/下载:72/0
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提交时间:2018/05/31
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