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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface Si donor control to improve dynamic performance of AlGaN/GaN MIS-HEMTs 期刊论文 AIP ADVANCES, 2017 作者:  Song, L;  Fu, K（付凯）;  Zhang, ZL（张志利）;  Sun, SC;  Li, WY 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/02/05 Breakdown Enhancement and Current Collapse Suppression by High-Resistivity GaN Cap Layer in Normally-Off AlGaN/GaN HEMTs 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 作者:  Hao, Ronghui;  Li, Weiyi;  Fu, Kai（付凯）;  Yu, Guohao;  Song, Liang 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2018/02/05 High-performance AlGaN/GaN MIS-HEMT device based on in situ plasma nitriding and low power chemical vapor deposition Si3N4gate dielectrics 期刊论文 2017 作者:  Li, Shu-Ping;  Zhang, Zhi-Li(张志利）;  Fu, Kai(付凯);  Yu, Guo-Hao(于国浩);  Cai, Yong(蔡勇) 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2018/02/05 Passive and Space-Discriminative Ionic Sensors Based on Durable Nanocomposite Electrodes toward Sign Language Recognition 期刊论文 ACS NANO, 2017 作者:  Zhao, Jingjing（赵晶晶）;  Han, Song;  Yang, Ying;  Fu, Ruoping;  Ming, Yue 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2018/02/05 High-resistivity unintentionally carbon-doped GaN layers with nitrogen as nucleation layer carrier gas grown by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 AIP ADVANCES, 2017 作者:  Chen, F;  Sun, SC;  Deng, XG（邓旭光）;  Fu, K（付凯）;  Yu, GH（于国浩） 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2018/02/05 Gram-scale synthesis of nanotherapeutic agents for CT/T-1-weighted MRI bimodal imaging guided photothermal therapy 期刊论文 NANO RESEARCH, 2017 作者:  Ding, Xianguang（丁显光）;  Hao, Xiaoxia;  Fu, Dongdong;  Zhang, Mengxin（张萌欣);  Lan, Tian（蓝天） 收藏  |  浏览/下载：120/0  |  提交时间：2018/02/05