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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：其他     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Oxide-based RRAM: Requirements and challenges of modeling and simulation 其他 2016-01-01 Kang, J.F.; Gao, B.; Huang, P.; Li, H.T.; Zhao, Y.D.; Chen, Z.; Liu, C.; Liu, L.F.; Liu, X.Y. 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 Physical Understanding and Optimization of Resistive Switching Characteristics in Oxide-RRAM 其他 2016-01-01 Kang, J. F.; Huang, P.; Chen, Z.; Zhao, Y. D.; Liu, C.; Han, R. Z.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Wang, Y. Y.; Gao, B. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 Resistive random access memory (RRAM)  switching mechanism  physical-based model  resistive switching  reliability  optimization design  MODEL  MEMORY  OPERATIONS  MECHANISM   Understanding charge traps for optimizing Si-passivated Ge nMOSFETs 其他 2016-01-01 Ren, P.; Gao, R.; Ji, Z.; Arimura, H.; Zhang, J. F.; Wang, R.; Duan, M.; Zhang, W.; Franco, J.; Sioncke, S.; Cott, D.; Mitard, J.; Witters, L.; Mertens, H.; Kaczer, B.; Mocuta, A.; Collaert, N.; Linten, D.; Huang, R.; Thean, A. V.Y.; Groeseneken, G. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Atomic Monte-Carlo Simulation for CBRAM with Various Filament Geometries 其他 2016-01-01 Zhao, Y. D.; Huang, P.; Guo, Z. H.; Lun, Z. Y.; Gao, B.; Liu, X. Y.; Kang, J. F. 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2017/12/03 RRAM  resistive switching  conductive filament  conductive bridge  Monte-Carlo  simulation  OXIDE  MEMORY