QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2016    内容类型：其他    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Physical Understanding and Optimization of Resistive Switching Characteristics in Oxide-RRAM 其他 2016-01-01 Kang, J. F.; Huang, P.; Chen, Z.; Zhao, Y. D.; Liu, C.; Han, R. Z.; Liu, L. F.; Liu, X. Y.; Wang, Y. Y.; Gao, B. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2017/12/03 Resistive random access memory (RRAM)  switching mechanism  physical-based model  resistive switching  reliability  optimization design  MODEL  MEMORY  OPERATIONS  MECHANISM