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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2013    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 0.6-eV bandgap In0.69Ga0.31As thermophotovoltaic devices with compositionally undulating step-graded InAsyP(1-y)buffers 期刊论文 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 026802 Ji Lian; Lu Shu-Long; Jiang De-Sheng; Zhao Yong-Ming; Tan Ming; Zhu Ya-Qi; Dong Jian-Rong 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2013/09/22 A High Power InGaN-Based Blue-Violet Laser Diode Array with a Broad-Area Stripe 期刊论文 chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 104205 Chen, P; Zhao, DG; Feng, MX; Jiang, DS; Liu, ZS; Zhang, LQ; Li, DY; Liu, JP; Wang, H; Zhu, JJ; Zhang, SM; Zhang, BS; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/04/09 Effect of V-defects on the performance deterioration of InGaN_GaN multiple-quantum-well light-emitting diodes with varying barrier layer thickness 期刊论文 journal of applied physics, 2013, 卷号: 114, 期号: 14, 页码: 143706 Le, L. C.; Zhao, D. G.; Jiang, D. S.; Li, L.; Wu, L. L.; Chen, P.; Liu, Z. S.; Yang, J.; Li, X. J.; He, X. G.; Zhu, J. J.; Wang, H.; Zhang, S. M.; Yang, H. 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/09 Effects of thin heavily Mg-doped GaN capping layer on ohmic contact formation of p-type GaN 期刊论文 semiconductor science and technology, 2013, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 105020 L L Wu, D G Zhao, D S Jiang, P Chen, L C Le, L Li, Z S Liu, S M Zhang, J J Zhu, H Wang, B S Zhang, H Yang 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/04/09 Dependence of InGaN solar cell performance on polarization-induced electric field and carrier lifetime 期刊论文 chinese physics b, 2013, 卷号: 22, 期号: 9, 页码: 098801 Yang Jing, Zhao De-Gang, Jiang De-Sheng, Liu Zong-Shun, Chen Ping, Li Liang, Wu Liang-Liang, Le Ling-Cong, Li Xiao-Jing, He Xiao-Guang, Wang Hui, Zhu Jian-Jun, Zhang Shu-Ming, Zhang Bao-Shun, Yang Huia 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/04/09