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InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m 期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2011, 卷号: 99, 期号: 8, 页码: 81914
Gu, Y; Zhang, YG(重点实验室); Wang, K; Fang, X; Li, C; Cao, YY; Li, AZ; Li, YY
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