InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m

	InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m
	Gu, Y ; Zhang, YG（重点实验室） ; Wang, K ; Fang, X ; Li, C ; Cao, YY ; Li, AZ ; Li, YY
刊名	APPLIED PHYSICS LETTERS
	2011
卷号	99 期号:8 页码:81914
关键词	Physics Applied
ISSN号	0003-6951
学科主题	Physics
收录类别	SCI
原文出处	10.1063/1.3629999
语种	英语
公开日期	2013-05-10
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.sim.ac.cn/handle/331004/115278]
专题	上海微系统与信息技术研究所_信息功能材料国家重点实验室2008-2012_期刊论文
推荐引用方式 GB/T 7714	Gu, Y,Zhang, YG,Wang, K,et al. InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m[J]. APPLIED PHYSICS LETTERS,2011,99(8):81914.
APA	Gu, Y.,Zhang, YG.,Wang, K.,Fang, X.,Li, C.,...&Li, YY.(2011).InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m.APPLIED PHYSICS LETTERS,99(8),81914.
MLA	Gu, Y,et al."InP-based InAs/InGaAs quantum wells with type-I emission beyond 3 mu m".APPLIED PHYSICS LETTERS 99.8(2011):81914.