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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High-performance 1.55 mu m low-temperature-grown gaas resonant-cavity-enhanced photodetector 期刊论文 Applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: 3 作者:  Han, Q.;  Niu, Z. C.;  Peng, L. H.;  Ni, H. Q.;  Yang, X. H. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 High-performance 1.55 mu m low-temperature-grown GaAs resonant-cavity-enhanced photodetector 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 13, 页码: art.no.131104 Han Q (Han Q.); Niu ZC (Niu Z. C.); Peng LH (Peng L. H.); Ni HQ (Ni H. Q.); Yang XH (Yang X. H.); Du Y (Du Y.); Zhao H (Zhao H.); Wu RH (Wu R. H.); Wang QM (Wang Q. M.) 收藏  |  浏览/下载：34/0  |  提交时间：2010/04/11 HIGH-SPEED  CARRIER DYNAMICS  M OPERATION  1.55-MU-M  POWER   Nonradiative recombination effect on photoluminescence decay dynamics in GaInNAs/GaAs quantum wells - art. no. 61180Z 会议论文 conference on ultrafast phenomena in semiconductors and nanostructure materials x, san jose, ca, jan 23-25, 2006 Sun, Z (Sun, Z.); Xu, ZY (Xu, Z. Y.); Yang, XD (Yang, X. D.); Sun, BQ (Sun, B. Q.); Ji, Y (Ji, Y.); Zhang, SY (Zhang, S. Y.); Ni, HQ (Ni, H. Q.); Niu, ZC (Niu, Z. C.) 收藏  |  浏览/下载：182/36  |  提交时间：2010/03/29 GaInNAs/GaAs quantum wells  optical properties  nonradiative recombination effect  time-resolved photoluminescence  PL decay dynamics  PL thermal quenching  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  GAASN ALLOYS  EXCITATION