QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2005    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of layer thickness of immiscible alloy In0.52Al0.48As on the morphology of InAs nanostructure grown on In0.52Al0.48As/InP(001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2005, 卷号: 273, 期号: 3-4, 页码: 494-499 作者:  Xu B;  Ye XL;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/03/17 nanostructures   A novel method for positioning of InAs islands on GaAs(110) 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 28, 期号: 4, 页码: 537-544 作者:  Xu B;  Jin P 收藏  |  浏览/下载：151/42  |  提交时间：2010/03/17 InAs island   The structural and photoluminescence character of InAs quantum dots grown on a combined InAlAs and GaAs strained buffer 期刊论文 pricm 5: the fifth pacific rim international conference on advanced materials and processing, 2005, 卷号: pts 1-5, 期号: 475-479, 页码: 1791-1794 Shi, GX; Xu, B; Jin, P; Ye, XL; Cui, CX; Zhang, CL; Wu, J; Wang, ZG 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2010/03/17 quantum dots  strain buffer layer  InAs  photoluminescence  WELL  LASER  LAYER   Development of cross-hatch grid morphology and its effect on ordering growth of quantum dots 期刊论文 physica e-low-dimensional systems & nanostructures, 2005, 卷号: 25, 期号: 4, 页码: 592-596 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2010/03/17 stress   Site controlling of InAs quantum wires on cleaved edges of AlGaAs/GaAs superlattices 期刊论文 nanotechnology, 2005, 卷号: 16, 期号: 8, 页码: 1379-1382 作者:  Jin P;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：219/41  |  提交时间：2010/03/17 DIFFUSION LENGTH