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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2004    学科主题：半导体材料    内容类型：期刊论文     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of crack-free GaN films on Si(111) substrate by using Al-rich AlN buffer layer 期刊论文 journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 4982-4988 Lu Y; Cong GW; Liu XL; Lu DC; Zhu QS; Wang XH; Wu JJ; Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：78/29  |  提交时间：2010/03/09 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Influence of the growth temperature of the high-temperature AlN buffer on the properties of GaN grown on Si(111) substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 263, 期号: 1-4, 页码: 4-11 作者:  Li DB;  Han XX 收藏  |  浏览/下载：61/21  |  提交时间：2010/03/09 substrates   Depth distribution of the strain in the GaN layer with low-temperature AlN interlayer on Si(111) substrate studied by Rutherford backscattering/channeling 期刊论文 applied physics letters, 2004, 卷号: 85, 期号: 23, 页码: 5562-5564 Lu, Y; Cong, GW; Liu, XL; Lu, DC; Wang, ZG; Wu, MF 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/03/17 STRESS