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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2003 [6]
学科主题
半导体材料 [6]
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发表日期:2003
学科主题:半导体材料
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Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:252/65
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
MOCVD
in situ laser reflectometry
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
IN-SITU
SAPPHIRE SUBSTRATE
NUCLEATION LAYERS
FILMS
Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:230/30
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提交时间:2010/08/12
in situ laser reflectometry
lateral overgrowth
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
BUFFER LAYER
THREADING DISLOCATIONS
TEMPERATURE
EVOLUTION
SURFACE
MOVPE
GaN1-xPx ternary alloys with high P composition grown by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 255, 期号: 1-2, 页码: 52-56
Chen DJ
;
Shen B
;
Bi ZX
;
Zhang KX
;
Gu SL
;
Zhang R
;
Shi Y
;
Zheng YD
;
Sun XH
;
Wan SK
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:470/1
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提交时间:2010/08/12
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN-RICH SIDE
RADICAL CELL
III-V
Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001)
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348
Zheng XH
;
Wang YT
;
Feng ZH
;
Yang H
;
Chen H
;
Zhou JM
;
Liang JW
收藏
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浏览/下载:39/0
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提交时间:2010/08/12
in-plane strain
lattice parameters
triple-axis diffraction
c-GaN
GROWTH
FILMS
Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253
作者:
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:292/3
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提交时间:2010/08/12
in situ laser reflectometry
lateral overgrowths
surface morphology
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SAPPHIRE SUBSTRATE
NUCLEATION LAYERS
QUALITY
TEMPERATURE
X-ray diffraction analysis of MOCVD grown GaN buffer layers on GaAs(001) substrates
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 1-2, 页码: 23-27
Shen XM
;
Wang YT
;
Zheng XH
;
Zhang BS
;
Chen J
;
Feng G
;
Yang H
收藏
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浏览/下载:111/0
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提交时间:2010/08/12
buffer layers
x-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
VAPOR-PHASE EPITAXY
NUCLEATION LAYERS
CUBIC GAN
(001)GAAS SUBSTRATE
STRAIN RELAXATION
TEMPERATURE
DEPOSITION
QUALITY
DIODES
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