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浏览/检索结果: 共26条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Self-assembled inas quantum wires on inp (001) (vol 219, pg 180, 2000) 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 4, 页码: 495-495 作者:  Wu, J;  Zeng, YP;  Sun, ZZ;  Lin, F;  Xu, B 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-assembled inas quantum wires on inp(001) 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 180-183 作者:  Wu, J;  Zeng, YP;  Sun, ZZ;  Lin, F;  Xu, B 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum wires  Inp(001)   Structural and optical properties of self-assembled inas/gaas quantum dots covered by inxga1-xas (0 <= x <= 0.3) 期刊论文 Journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 3392-3395 作者:  Liu, HY;  Wang, XD;  Wu, J;  Xu, B;  Wei, YQ 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Electronic characteristics of inas self-assembled quantum dots 期刊论文 Physica e, 2000, 卷号: 7, 期号: 3-4, 页码: 383-387 作者:  Wang, HL;  Feng, SL;  Zhu, HJ;  Ning, D;  Chen, F 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas/gaas quantum dots  Self-assembled structure  Dlts  Pl  Band offset   The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in inas/in0.53ga0.47as multilayer on inp substrate 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Sun, ZZ;  Wu, J;  Lin, F;  Liu, FQ;  Chen, YH 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-organized quantum dots  Inas/in0.53ga0.47as multilayer  Inp substrate  Mbe   Self-aligned current aperture in native oxidized alinas buried heterostructure ingaasp/inp distributed feedback laser 期刊论文 Applied physics letters, 2000, 卷号: 76, 期号: 12, 页码: 1492-1494 作者:  Wang, ZJ;  Chua, SJ;  Zhang, ZY;  Zhou, F;  Zhang, JY 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Improvement of thin silicon on sapphire (sos) film materials and device performances by solid phase epitaxy 期刊论文 Materials science and engineering b-solid state materials for advanced technology, 2000, 卷号: 72, 期号: 2-3, 页码: 189-192 作者:  Wang, QY;  Nie, JP;  Yu, F;  Liu, ZL;  Yu, YH 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Solid phase epitaxy  Silicon on sapphire (sos)  Carrier mobility   Inas self-assembled nanostructures grown on inp(001) 期刊论文 Chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 222-224 作者:  Li, YF;  Liu, FQ;  Xu, B;  Lin, F;  Wu, J 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 The structural and photoluminescence properties of self-organized quantum dots in InAs/In0.53Ga0.47As multilayer on InP substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 212, 期号: 1-2, 页码: 360-363 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/08/12 self-organized quantum dots  InAs/In0.53Ga0.47As multilayer  InP substrate  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INAS ISLANDS  GROWTH  MATRIX  GAAS   Tunable MQW-DBR lasers using selective area growth 会议论文 4th international conference on thin film physics and applications, shanghai, peoples r china, may 08-11, 2000 Liu GL; Wang W; Zhang JY; Chen WX; Xu GY; Zhang BJ; Zhou F; Wang XJ; Zhu HL 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2010/10/29 selective area growth  multi-quantum-well  distributed Bragg reflector laser  MOCVD  tunable laser  EPITAXY