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浏览/检索结果: 共18条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2000    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Structural and optical characterization of inas nanostructures grown on (001) and high index inp substrates 期刊论文 Applied surface science, 2000, 卷号: 167, 期号: 3-4, 页码: 191-196 作者:  Li, YF;  Ye, XL;  Liu, FQ;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Self-assembled quantum dots  Molecular beam epitaxy  High index   Two-dimensional ordering of self-assembled inas quantum dots grown on (311)b inp substrate 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Li, YF;  Liu, FQ;  Xu, B;  Ye, XL;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Molecular beam epitaxy  High index   Temperature dependence of electron redistribution in modulation-doped inas/gaas quantum dots 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 3, 页码: 199-204 作者:  Zhang, YC;  Huang, CJ;  Liu, FQ;  Xu, B;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Inas/gaas  Mbe  Photoluminescence  Absorption   The effect of substrate orientation on the morphology of inas nanostructures on (001) and (11n)a/b(n=1-5) inp substrates 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Sun, ZZ;  Wu, J;  Chen, YH;  Liu, FQ;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 High-index inp substrate  In(ca)as nanostructures  Mbe   Room temperature 1.55 mu m emission from inas quantum dots grown on (001)inp substrate by molecular beam epitaxy 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 451-454 作者:  Li, YF;  Ye, XL;  Xu, B;  Liu, FQ;  Ding, D 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/05/12 Quantum dots  Molecular beam epitaxy  Inas/inp   Photoluminescence and raman scattering of silicon nanocrystals prepared by silicon ion implantion into sio2 films 期刊论文 Journal of applied physics, 2000, 卷号: 88, 期号: 3, 页码: 1439-1442 作者:  Li, GH;  Ding, K;  Chen, Y;  Han, HX;  Wang, ZP 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas self-assembled nanostructures grown on inp(001) 期刊论文 Chinese physics, 2000, 卷号: 9, 期号: 3, 页码: 222-224 作者:  Li, YF;  Liu, FQ;  Xu, B;  Lin, F;  Wu, J 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/05/12 Temperature and excitation power dependence of the optical properties of inas self-assembled quantum dots grown between two al0.5ga0.5as confining layers 期刊论文 Journal of crystal growth, 2000, 卷号: 210, 期号: 4, 页码: 451-457 作者:  Liu, HY;  Xu, B;  Gong, Q;  Ding, D;  Liu, FQ 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/05/12 Inas quantum dots  Molecular beam epitaxy  Photoluminescence   The effect of substrate orientation on the morphology of InAs nanostructures on (001) and (11n)A/B(n=1-5) InP substrates 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 218, 期号: 2-4, 页码: 203-208 作者:  Xu B 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2010/08/12 high-index InP substrate  In(Ca)As nanostructures  MBE  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  INGAAS QUANTUM DOTS  ORIENTED GAAS  OPTICAL CHARACTERIZATION  ISLANDS   Two-dimensional ordering of self-assembled InAs quantum dots grown on (311)B InP substrate 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 219, 期号: 1-2, 页码: 17-21 作者:  Ye XL;  Xu B 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 quantum dots  molecular beam epitaxy  high index  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  STRAINED ISLANDS  GAAS  ORGANIZATION  INP(001)  LASERS  INGAAS  LAYER