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Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency 专利
专利号: US9647416, 申请日期: 2017-05-09, 公开日期: 2017-05-09
作者:  DEMIR, ABDULLAH;  PETERS, MATTHEW GLENN
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LED on silicon substrate using zinc-sulfide as buffer layer 专利
专利号: US9159869, 申请日期: 2015-10-13, 公开日期: 2015-10-13
作者:  CHEN, ZHEN
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LED having a low defect N-type layer that has grown on a silicon substrate 专利
专利号: US8865565, 申请日期: 2014-10-21, 公开日期: 2014-10-21
作者:  CHEN, ZHEN
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Vcsel with gain tailoring by apertures with different diameters in the bottom p-dbr 专利
专利号: WO2013014563A1, 申请日期: 2013-01-31, 公开日期: 2013-01-31
作者:  GRONENBORN, STEPHAN;  MOENCH, HOLGER
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LONG WAVELENGTH NONPOLAR AND SEMIPOLAR (Al,Ga,In)N BASED LASER DIODES 专利
专利号: US20100309943A1, 申请日期: 2010-12-09, 公开日期: 2010-12-09
作者:  CHAKRABORTY, ARPAN;  LIN, YOU-DA;  NAKAMURA, SHUJI;  DENBAARS, STEVEN P.
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Semiconductor laser device 专利
专利号: US20070121693A1, 申请日期: 2007-05-31, 公开日期: 2007-05-31
作者:  NAKATSUKA, SHIN'ICHI;  OHTOSHI, TSUKURU;  SHINODA, KAZUNORI;  TERANO, AKIHISA;  NAKAMURA, HITOSHI
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Method and apparatus for measuring surface carrier recombination velocity and surface Fermi level 专利
专利号: US20060094133A1, 申请日期: 2006-05-04, 公开日期: 2006-05-04
作者:  TAKEUCHI, HIDEO;  YAMAMOTO, YOSHITSUGU
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Low-dimensional plasmon light emitting device 专利
专利号: US6946674, 申请日期: 2005-09-20, 公开日期: 2005-09-20
作者:  NAGAO, TADAAKI
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Group III nitride compound semiconductor light-emitting device 专利
专利号: US6861663, 申请日期: 2005-03-01, 公开日期: 2005-03-01
作者:  SAWAZAKI, KATSUHISA;  ASAI, MAKOTO;  KANEYAMA, NAOKI
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Electron affinity engineered VCSELs 专利
专利号: US20050031011A1, 申请日期: 2005-02-10, 公开日期: 2005-02-10
作者:  BIARD, JAMES R.;  JOHNSON, RALPH H.;  JOHNSON, KLEIN L.
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