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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 专题：西安光学精密机械研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-situ oxidation fabrication of 0D/2D SnO2/SnS2 novel Step-scheme heterojunctions with enhanced photoelectrochemical activity for water splitting 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2020, 卷号: 501 作者:  Mu, Jianglong;  Teng, Feng;  Miao, Hui;  Wang, Yishan;  Hu, Xiaoyun 收藏  |  浏览/下载：131/0  |  提交时间：2020/01/09 In-situ oxidation  S-scheme mechanism  0D/2D SnO2/SnS2  Photoelectrochemical water splitting   Separate lateral confinement quantum well laser 专利 专利号: WO2003003532A1, 申请日期: 2003-01-09, 公开日期: 2003-01-09 作者:  COLEMAN, JAMES, J.;  SWINT, REUEL, B.;  ZEDIKER, MARK, S. 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/31 Method of manufacturing a stripe-shaped heterojunction laser with unique current confinement 专利 专利号: US4839307, 申请日期: 1989-06-13, 公开日期: 1989-06-13 作者:  IMANAKA, KOICHI;  IMAMOTO, HIROSHI 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24 Manufacture of buried heterojunction type semiconductor laser element 专利 专利号: JP1989115185A, 申请日期: 1989-05-08, 公开日期: 1989-05-08 作者:  MATSUBARA KUNIO;  KUNIHARA KENJI;  SHINDO YOICHI 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/31 Semiconductor laser 专利 专利号: JP1988036591A, 申请日期: 1988-02-17, 公开日期: 1988-02-17 作者:  SAKAMOTO MASAMICHI 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 Double heterojunction type semiconductor laser 专利 专利号: JP1988036590A, 申请日期: 1988-02-17, 公开日期: 1988-02-17 作者:  SAKAMOTO MASAMICHI;  KAISE KIKUO 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/01/18 Light emitting semiconductor devices 专利 专利号: GB1342767A, 申请日期: 1974-01-03, 公开日期: 1974-01-03 作者:  - 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/24