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西安光学精密机械研... [27]
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专利 [26]
期刊论文 [1]
发表日期
2020 [1]
2017 [1]
2011 [2]
2007 [1]
2006 [1]
2005 [2]
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专题：西安光学精密机械研究所
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高功率准连续半导体激光阵列中应变对独立发光点性能的影响
期刊论文
光子学报, 2020, 卷号: 49, 期号: 9
作者:
李波
;
王贞福
;
仇伯仓
;
杨国文
;
李特
收藏
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2020/10/27
高功率半导体激光阵列
独立发光点
应变
微通道
光电特性
Long wavelength quantum cascade lasers based on high strain composition
专利
专利号: US9608408, 申请日期: 2017-03-28, 公开日期: 2017-03-28
作者:
LYAKH, ARKADIY
;
MAULINI, RICHARD
;
TSEKOUN, ALEXEI
;
PATEL, C. KUMAR N.
收藏
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浏览/下载：13/0
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提交时间：2019/12/26
Laser diode with high indium active layer and lattice matched cladding layer
专利
专利号: US8000366, 申请日期: 2011-08-16, 公开日期: 2011-08-16
作者:
BOUR, DAVID P.
;
CHUA, CHRISTOPHER L.
;
JOHNSON, NOBLE M.
;
YANG, ZHIHONG
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浏览/下载：11/0
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提交时间：2019/12/26
Vertical cavity surface emitting laser (VCSEL), VCSEL array device, optical scanning apparatus, and image forming apparatus
专利
专利号: US7991033, US7991033, 申请日期: 2011-08-02, 2011-08-02, 公开日期: 2011-08-02, 2011-08-02
作者:
HARA, KEI
;
KAMINISHI, MORIMASA
收藏
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浏览/下载：9/0
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提交时间：2019/12/26
Multicomponent barrier layers in quantum well active regions to enhance confinement and speed
专利
专利号: US7257143, 申请日期: 2007-08-14, 公开日期: 2007-08-14
作者:
JOHNSON, RALPH H.
收藏
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浏览/下载：9/0
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提交时间：2019/12/26
Laser diode arrays with reduced heat induced strain and stress
专利
专利号: US20060018355A1, 申请日期: 2006-01-26, 公开日期: 2006-01-26
作者:
FEITISCH, ALFRED
;
LINDSTROEM, CARSTEN
;
BLIXT, PETER
收藏
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浏览/下载：7/0
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提交时间：2019/12/30
Long wavelength pseudomorphic InGaNPAsSb type-I and type-II active layers for the gaas material system
专利
专利号: US6859474, 申请日期: 2005-02-22, 公开日期: 2005-02-22
作者:
JOHNSON, SHANE
;
DOWD, PHILIP
;
BRAUN, WOLFGANG
;
ZHANG, YONG-HANG
;
GUO, CHANG-ZHI
收藏
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浏览/下载：6/0
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提交时间：2019/12/26
Gain-coupled semiconductor laser device lowering blue shift
专利
专利号: US6853661, 申请日期: 2005-02-08, 公开日期: 2005-02-08
作者:
EKAWA, MITSURU
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2019/12/26
InGaAsP or InGaAs semiconductor laser element in which near-edge portion of active layer is substituted with GaAs optical waveguide layer having greater bandgap than active layer
专利
专利号: US6816524, 申请日期: 2004-11-09, 公开日期: 2004-11-09
作者:
FUKUNAGA, TOSHIAKI
收藏
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浏览/下载：15/0
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提交时间：2019/12/26
Material systems for long wavelength lasers grown on GaSb or InAs substrates
专利
专利号: US6813297, 申请日期: 2004-11-02, 公开日期: 2004-11-02
作者:
BURAK, DARIUSZ
收藏
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浏览/下载：10/0
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提交时间：2019/12/26
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