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| 半导体激光器及其制作方法 专利
专利号: CN106887789B, 申请日期: 2019-10-18, 公开日期: 2019-10-18
作者: 黄莹; 刘建平; 程洋; 黄思溢; 张书明
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| 一种GaN基低阶表面光栅DFB激光器的制备方法 专利
专利号: CN109462144A, 申请日期: 2019-03-12, 公开日期: 2019-03-12
作者: 李俊泽; 张建 ; 邓泽佳; 杨浩军; 李沫
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| 纳米压印法实现DFB激光器脊波导上绝缘层开窗工艺 专利
专利号: CN108963753A, 申请日期: 2018-12-07, 公开日期: 2018-12-07
作者: 曲迪; 白国人; 陈墨; 靳春艳; 宋学颍
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| 电注入长波长硅基纳米激光器阵列的外延材料制备方法 专利
专利号: CN108418095A, 申请日期: 2018-08-17, 公开日期: 2018-08-17
作者: 王俊; 胡海洋; 成卓; 杨泽园; 尹海鹰
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| GaN基半导体器件及其制作方法 专利
专利号: CN106684213A, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17
作者: 严威; 孙逸; 冯美鑫; 周宇; 孙钱
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| 一种纳米图形衬底侧向外延硅基量子点激光器材料及其制备方法 专利
专利号: CN106480498A, 申请日期: 2017-03-08, 公开日期: 2017-03-08
作者: 王俊; 胡海洋; 成卓; 樊宜冰; 马浩源
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| 一种可提高图形深宽比的纳米压印方法及其产品 专利
专利号: CN102910579A, 申请日期: 2013-02-06, 公开日期: 2013-02-06
作者: 王智浩; 刘文; 孙堂友; 左强
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| 一种基于紫外光刻工艺的深亚微米刻蚀槽制作方法 专利
专利号: CN102738698A, 申请日期: 2012-10-17, 公开日期: 2012-10-17
作者: 王磊; 邹立; 何建军
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