| 半导体激光器及其制作方法 | |
| 黄莹; 刘建平; 程洋; 黄思溢; 张书明; 李德尧; 张立群; 杨辉 | |
| 2019-10-18 | |
| 著作权人 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 专利号 | CN106887789B |
| 国家 | 中国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半导体激光器及其制作方法 |
| 英文摘要 | 本发明提供一种半导体激光器及其制作方法，所述半导体激光器包括衬底、设置于所述衬底上的下限制层及设置于所述下限制层上的下波导层、第一掩膜波导、第二掩膜波导，所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导分别位于所述下波导层的两侧，所述半导体激光器还包括依次叠层设置于所述下波导层上的有源层、上波导层、电子阻挡层、上限制层及接触层，所述接触层分别延伸至所述第一掩膜波导和所述第二掩膜波导的上表面。本发明提供的半导体激光器，能够增加接触层的接触面积，减小接触电阻，降低热损耗，提升半导体激光器的性能。 |
| 公开日期 | 2019-10-18 |
| 申请日期 | 2017-03-13 |
| 状态 | 授权 |
| 内容类型 | 专利 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32194]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黄莹,刘建平,程洋,等. 半导体激光器及其制作方法. CN106887789B. 2019-10-18. |
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