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| 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器 专利
专利号: CN105406359B, 申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-06-18
作者: 朱振; 张新; 徐现刚
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| 半导体元件的制造方法、半导体元件 专利
专利号: CN107528215A, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29
作者: 土屋裕彰; 山口晴央; 中井荣治
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| 安装有完整扩散阻挡层的半导体激光器 专利
专利号: CN103782459B, 申请日期: 2017-07-25, 公开日期: 2017-07-25
作者: 马蒂亚斯·施里姆佩尔; 阿尔弗雷德·菲提施; 加比·纽鲍尔
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| 安装有完整扩散阻挡层的半导体激光器 专利
专利号: CN103782459B, 申请日期: 2017-07-25, 公开日期: 2017-07-25
作者: 马蒂亚斯·施里姆佩尔; 阿尔弗雷德·菲提施; 加比·纽鲍尔
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| 一种晶体管激光器及其制作方法 专利
专利号: CN104485578B, 申请日期: 2017-05-10, 公开日期: 2017-05-10
作者: 梁松; 朱洪亮
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| 量子阱混合 专利
专利号: CN101849277B, 申请日期: 2012-05-09, 公开日期: 2012-05-09
作者: Y・李; K・宋; C-E・扎
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| 一种制备具有扩散阻挡层Mo的n型GaSb欧姆接触的方法 专利
专利号: CN102255243A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23
作者: 李俊承; 王跃; 芦鹏; 王玉霞; 李林
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| 大功率650nm量子阱半导体激光器及其制作方法 专利
专利号: CN101114757A, 申请日期: 2008-01-30, 公开日期: 2008-01-30
作者: 史慧玲; 郑凯
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| 数字多功能光盘用大功率650nm半导体激光器及制作方法 专利
专利号: CN1805027A, 申请日期: 2006-07-19, 公开日期: 2006-07-19
作者: 郑凯; 马骁宇; 林涛; 刘素平; 张广泽
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| 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法 专利
专利号: CN1549411A, 申请日期: 2004-11-24, 公开日期: 2004-11-24
作者: 刘金龙; 李树深; 牛智川
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