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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文 Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X. 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemt  Mocvd  Sic substrate  Power device   High-performance 2 mm gate width ganhemts on 6h-sic with output power of 22.4 w @ 8 ghz 期刊论文 Solid-state electronics, 2008, 卷号: 52, 期号: 6, 页码: 926-929 作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Wang, C. M.;  Hu, G. X. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/05/12 Algan/aln/gan  Hemts  Sic  Power   1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文 solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432 Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ 收藏  |  浏览/下载：95/0  |  提交时间：2010/03/29 AlGaN/GaN   Improved dc and rf performance of algan/gan hemts grown by mocvd on sapphire substrates 期刊论文 Solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 1387-1390 作者:  Wang, XL;  Wang, CM;  Hu, GX;  Wang, JX;  Chen, TS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2019/05/12 Hemt  Gan  Mocvd  Power device   Improved DC and RF performance of AlGaN/GaN HEMTs grown by MOCVD on sapphire substrates 期刊论文 solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 8, 页码: 1387-1390 Wang XL; Wang CM; Hu GX; Wang JX; Chen TS; Jiao G; Li JP; Zeng YP; Li JM 收藏  |  浏览/下载：94/18  |  提交时间：2010/03/17 HEMT   BACKGATING AND LIGHT SENSITIVITY IN GAAS METAL-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT TRANSISTORS 期刊论文 journal of crystal growth, 1995, 卷号: 150, 期号: 0, 页码: 1270-1274 LI RG; WANG ZG; LIANG JB; REN GB; FAN TW; LIN LY 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/17