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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 optical materials, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 Wu JJ (Wu Jiejun); Han XX (Han Xiuxun); Li JM (Li Jiemin); Wei HY (Wei Hongyuan); Cong GW (Cong Guangwei); Liu XL (Liu Xianglin); Zhu QS (Zhu Qinsheng); Wang ZG (Wang Zhanguo); Jia QJ (Jia Quanjie); Guo LP (Guo Liping); Hu TD (Hu Tiandou); Wang HH (Wang Huanhua) 收藏  |  浏览/下载：49/0  |  提交时间：2010/04/11 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN  PHASE EPITAXY  INDIUM-SURFACTANT  OPTICAL-PROPERTIES  SI(111)  STRESS  FILMS   Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 会议论文 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 Chen WD; Song SF; Zhu JJ; Wang XL; Chen CY; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：24/0  |  提交时间：2010/11/15 doping  metalorganic chemical vapor deposition  molecular beam epitaxy  gallium compounds  semiconducting gallium compounds  ERBIUM   Study of infrared luminescence from Er-implanted GaN films 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 466-469 Chen WD; Song SF; Zhu JJ; Wang XL; Chen CY; Hsu CC 收藏  |  浏览/下载：136/35  |  提交时间：2010/03/09 doping   Method for measurement of lattice parameter of cubic GaN layers on GaAs (001) 期刊论文 journal of crystal growth, 2003, 卷号: 250, 期号: 3-4, 页码: 345-348 Zheng XH; Wang YT; Feng ZH; Yang H; Chen H; Zhou JM; Liang JW 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/08/12 in-plane strain  lattice parameters  triple-axis diffraction  c-GaN  GROWTH  FILMS   Effects of annealing on properties of spin-valve pinned with FeMn alloy 期刊论文 acta physica sinica, 2002, 卷号: 51, 期号: 8, 页码: 1846-1850 Chai CL; Teng J; Yu GH; Zhu FW; Lai WY; Xiao JM 收藏  |  浏览/下载：59/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  spin-valve  diffusion along grain boundary  TEMPERATURE-DEPENDENCE  MAGNETORESISTANCE  FILMS  COERCIVITY  FIELD  BIAS  NIO   Pulsed excimer laser annealing of Mg-doped cubic GaN 期刊论文 journal of crystal growth, 2000, 卷号: 209, 期号: 1, 页码: 203-207 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2010/08/12 annealing  cubic GaN  Mg doping  photoluminescence  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  III-V NITRIDE  P-TYPE GAN  OPTICAL-PROPERTIES  COMPENSATION  DIODES  FILMS