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科研机构
半导体研究所 [22]
内容类型
期刊论文 [19]
会议论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2006 [1]
2005 [3]
2003 [3]
2002 [8]
2000 [5]
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学科主题
半导体物理 [8]
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专题:半导体研究所
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Influence of annealed ohmic contact metals on electron mobility of strained AlGaN/GaN heterostructures
期刊论文
半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 10, 页码: 10-12
作者:
Zhang Yu
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2010/11/23
Deep level transient spectroscopy studies of Er and Pr implanted GaN films
期刊论文
acta physica sinica, 2006, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 1407-1412
Song SF
;
Chen WD
;
Xu ZJ
;
Xu XR
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/04/11
GaN
Er
Pr-implautation
deep level transient spectroscopy
N-TYPE GAN
DEFECTS
EPITAXY
TRAPS
Frequency dependence of junction capacitance of gan p-i-n uv detectors
期刊论文
Solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1135-1139
作者:
Kang, Y
;
Xu, YH
;
Zhao, DG
;
Fang, JX
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Capacitance-frequency characteristics
Deep level
Gan
Uv detector
Frequency dependence of junction capacitance of GaN p-i-n UV detectors
期刊论文
solid-state electronics, 2005, 卷号: 49, 期号: 7, 页码: 1135-1139
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:55/35
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提交时间:2010/03/17
capacitance-frequency characteristics
Radiation hardness improvement of separation-by-implantation-of-oxygen/silicon-on-insulator material by nitrogen ion implantation
期刊论文
journal of electronic materials, 2005, 卷号: 34, 期号: 11, 页码: l53-l56
Zhang EX
;
Sun JY
;
Chen J
;
Zhang ZX
;
Wang X
;
Li N
;
Zhang GQ
;
Liu ZL
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浏览/下载:193/29
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提交时间:2010/03/17
silicon-on-insulator (SOI)
Electron ground state energy level determination of znse self-organized quantum dots embedded in zns
期刊论文
Journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 9, 页码: 5325-5330
作者:
Lu, LW
;
Yang, CL
;
Wang, J
;
Sou, IK
;
Ge, WK
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2019/05/12
Electron ground state energy level determination of ZnSe self-organized quantum dots embedded in ZnS
期刊论文
journal of applied physics, 2003, 卷号: 93, 期号: 9, 页码: 5325-5330
Lu LW
;
Yang CL
;
Wang J
;
Sou IK
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
TRANSIENT SPECTROSCOPY
TEMPERATURE-DEPENDENCE
PHOTOLUMINESCENCE
WELL
EPILAYERS
SURFACE
Low-frequency noise properties of GaN Schottky barriers deposited on intermediate temperature buffer layers
会议论文
1st international symposium on point defect and stoichiometry, sendai, japan, mar 20-22, 2003
Leung BH
;
Fong WK
;
Surya C
;
Lu LW
;
Ge WK
收藏
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2010/10/29
GaN
low-frequency noise
deep levels
deep level transient Fourier spectroscopy
DEVICES
Carrier concentration profiling in magnetic gamnsb/gasb investigated by electrochemistry capacitance-voltage profiler
期刊论文
Chinese science bulletin, 2002, 卷号: 47, 期号: 21, 页码: 1780-1782
作者:
Zhang, XL
;
Zhang, FQ
;
Song, SL
;
Chen, NF
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
Electrochemistry c-v
Magnetic semiconductor
Gamnsb
Photoluminescence and capacitance transients in highly mg-doped gan
期刊论文
Applied physics a-materials science & processing, 2002, 卷号: 75, 期号: 3, 页码: 441-444
作者:
Lu, L
;
Yang, CL
;
Yan, H
;
Yang, H
;
Wang, Z
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2019/05/12
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