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半导体研究所 [123]
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发表日期
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Homoepitaxial growth of multiple 4H-SiC wafers assembled in a simple holder via conventional chemical vapor deposition
期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2019, 卷号: 507, 页码: 283-287
作者:
X.F. Liu
;
G.G. Yan
;
Z.W. Shen
;
Z.X. Wen
;
J. Chen
;
Y.W. He
;
W.S. Zhao
;
L. Wang
;
M. Guan
;
F. Zhang
;
G.S. Sun
;
Y.P. Zeng
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2020/07/31
Fabrication of high-hole-mobility germanium-on-insulator wafers through an easy method
期刊论文
Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 750, 页码: 182-188
作者:
Kai Yu
;
Fan Yang
;
Hui Cong
;
Lin Zhou
;
Qingyun Liu
;
Lichun Zhang
;
Buwen Cheng
;
Chunlai Xue
;
Yuhua Zuo
;
Chuanbo Li
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浏览/下载:33/0
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提交时间:2019/11/19
Investigation of diffusion length distribution on polycrystalline silicon wafers via photoluminescence methods
期刊论文
scientific reports, 2015, 卷号: 5, 页码: 14084
Shishu Lou
;
Huishi Zhu
;
Shaoxu Hu
;
Chunhua Zhao
;
Peide Han
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2016/03/22
Characterization of Obtuse Triangular Defects on 4H-SiC 4° off-Axis Epitaxial Wafers
期刊论文
chinese physics letters, 2013, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 096105
DONG Lin, SUN Guo-Sheng, YU Jun, ZHENG Liu, LIU Xing-Fang, ZHANG Feng, YAN Guo-Guo, LI Xi-Guang, WANG Zhan-Guo, YANG Fei
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2014/03/17
Wavelength-tunable si-based ingaas resonant cavity enhanced photodetectors using sol-gel wafer bonding technology
期刊论文
Ieee photonics technology letters, 2011, 卷号: 23, 期号: 13, 页码: 881-883
作者:
Zhang, Lingzi
;
Cao, Quan
;
Zuo, Yuhua
;
Xue, Chunlai
;
Cheng, Buwen
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2019/05/12
Resonant cavity enhanced (rce) photodetector
Silicon photonics
Sol-gel wafer bonding
Thermal tuning
Growth and device characteristics of nano-folding ingan/gan multiple quantum well led
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 7, 页码: 4
作者:
Chen Gui-Feng
;
Tan Xiao-Dong
;
Wan Wei-Tian
;
Shen Jun
;
Hao Qiu-Yan
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2019/05/12
Nano-led
Photoluminescence (pl)
Electroluminescence (el)
Ordered inas nanodots formed on the patterned gaas substrate by molecular beam epitaxy
期刊论文
Materials science in semiconductor processing, 2011, 卷号: 14, 期号: 2, 页码: 108-113
作者:
Jin, Lan
;
Zhou, Huiying
;
Qu, Shengchun
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:99/0
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提交时间:2019/05/12
Patterned substrate
Ion implantation
Ordered nanodots
Anodic aluminum oxide
Influence of high-dose nitrogen implantation on the positive charge density of the buried oxide of silicon-on-insulator wafers
期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 5, 页码: 6
作者:
Tang Hai-Ma
;
Zheng Zhong-Shan
;
Zhang En-Xia
;
Yu Fang
;
Li Ning
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2019/05/12
Separation by oxygen implantation
Buried oxide
Nitrogen implantation
Positive charge density
Determination of the transport properties in 4h-sic wafers by raman scattering measurement
期刊论文
Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 6
作者:
Sun Guo-Sheng
;
Liu Xing-Fang
;
Wu Hai-Lei
;
Yan Guo-Guo
;
Dong Lin
收藏
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2019/05/12
4h-sic
Raman scattering
Lopc modes
Transport properties
Fabrication and characterization of high performance AlGaN/GaN HEMTs on sapphire with silicon nitride passivation
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 6, 页码: 64001
Zhang, Renping
;
Yan, Wei
;
Wang, Xiaoliang
;
Yang, Fuhua
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2012/06/14
Aspect ratio
Current density
Drain current
Electric network analysis
Electric network analyzers
Electron mobility
Fabrication
Gallium nitride
Ohmic contacts
Passivation
Silicon nitride
Silicon wafers
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