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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Nitrogen defects and ferromagnetism in Cr-doped dilute magnetic semiconductor AlN from first principles 期刊论文 physical review b, 2008, 卷号: 78, 期号: 19, 页码: art. no. 195206 Shi LJ; Zhu LF; Zhao YH; Liu BG 收藏  |  浏览/下载：217/56  |  提交时间：2010/03/08 ab initio calculations  aluminium compounds  annealing  band structure  chromium  Curie temperature  density functional theory  exchange interactions (electron)  ferromagnetic materials  III-V semiconductors  semimagnetic semiconductors  total energy  vacancies (crystal)   Ab initio calculations for the neutral and charged O vacancy in sapphire 期刊论文 physical review b, 1997, 卷号: 56, 期号: 12, 页码: 7277-7284 Xu YN; Gu ZQ; Zhong XF; Ching WY 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/17 OPTICAL-ABSORPTION  CORUNDUM CRYSTALS  ALPHA-ALUMINA  F+ CENTER  ALPHA-AL2O3  AL2O3  DEFECTS  SIMULATION  DAMAGE  STATES   ENERGY-LEVEL CALCULATIONS OF THE RECONSTRUCTED 90-DEGREES PARTIAL DISLOCATION IN SILICON 期刊论文 solid state communications, 1992, 卷号: 82, 期号: 2, 页码: 137-140 MARKLUND S; WANG YL 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2010/11/15 CORE STRUCTURE  STATES  MODEL   BAND DISPERSION IN THE RECURSION METHOD 期刊论文 physical review b, 1991, 卷号: 43, 期号: 15, 页码: 12464-12469 WANG YL 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/15 ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTORS  SILICON  DISLOCATIONS  ENVIRONMENT  DEFECTS  STATES