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Vi/ii ratio-dependent growth and photoluminescence of cubic cdse epilayers by molecular beam epitaxy 期刊论文
Journal of crystal growth, 2011, 卷号: 329, 期号: 1, 页码: 1-5
作者:  Zhao, Jie;  Zeng, Yiping;  Yang, Qiumin;  Li, Yiyang;  Cui, Lijie
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Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane inn films grown on gamma-lialo2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文
Journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 5
作者:  Fu, D.;  Zhang, R.;  Liu, B.;  Xie, Z. L.;  Xiu, X. Q.
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Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires 期刊论文
Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5
作者:  Wang Xiu-Ping;  Yang Xiao-Hong;  Han Qin;  Ju Yan-Ling;  Du Yun
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Preparation and photoluminescence study of patterned substrate quantum wires 期刊论文
acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: article no.20703
作者:  Yang XH;  He JF
收藏  |  浏览/下载：57/7  |  提交时间：2011/07/05
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO2(100) by metal organic chemical vapour deposition 期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: article no.245402
Fu D; Zhang R; Liu B; Xie ZL; Xiu XQ; Gu SL; Lu H; Zheng YD; Chen YH; Wang ZG
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An internally-matched gan hemts device with 45.2 w at 8 ghz for x-band application 期刊论文
Solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Wang, X. L.;  Chen, T. S.;  Xiao, H. L.;  Tang, J.;  Ran, J. X.
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An internally-matched GaN HEMTs device with 45.2 W at 8 GHz for X-band application 期刊论文
solid-state electronics, 2009, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 332-335
作者:  Zhang ML;  Hou QF
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1-mm gate periphery algan/ain/gan hemts on sic with output power of 9.39 w at 8 ghz 期刊论文
Solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
作者:  Wang, X. L.;  Cheng, T. S.;  Ma, Z. Y.;  Hu, Gx;  Xiao, H. L.
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1-mm gate periphery AlGaN/AIN/GaN HEMTs on SiC with output power of 9.39 W at 8 GHz 期刊论文
solid-state electronics, 2007, 卷号: 51, 期号: 3, 页码: 428-432
Wang XL; Cheng TS; Ma ZY; Hu G; Xiao HL; Ran JX; Wang CM; Luo WJ
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MOCVD-Grown AlGaN/AlN/GaN HEMT Structure with High Mobility GaN Thin Layer as Channel on SiC 期刊论文
半导体学报, 2006, 卷号: 27, 期号: 9, 页码: 1521-1525
作者:  Xiao Hongling;  Wang Cuimei
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